成本與性能齊降,20nm快閃記憶體SSD性能搶先曝光
雖說Intel 20nm NAND快閃記憶體到Q3才開始量產,但是目前仍有小量的20nm NAND快閃記憶體試產出來,像在Intel NAND上極有資源優勢的SuperSSpeed,已經拿到了20nm的NAND快閃記憶體,並搭配SF2281主控開始生產新一代制程的SSD了。
Intel NAND各制程下的Die比較
從目前的資料看,20nm制程的L84顆粒Page會有8KB(TSOP封裝)和16KB(BGA封裝)兩種,由於密度的上升,每個Page的Spare Byte(用來存放ECC簽名)也明顯增加,比如說25nm時,一個8KB的Page需要有448bytes的Spare Area,當制程進步到20nm後,Spare Area卻需要744bytes,每1KB資料需要更多的ECC檢驗資料。對於SandForce主控來說,RAISE冗餘技術顯得就更加重要了。
還是來看看20nm NAND的性能吧,測試平臺採用的是微星Z77主機板,Windows 7 SP1系統:
HD Tune Pro下的Info資訊(F3表示20nm制程)
先關注一下HD Tune Pro中的Info,Serial這一項大多數情況下會顯示該SSD所有快閃記憶體的型號(一般為編號後幾位),對Intel快閃記憶體比較熟悉的同學應該會記得目前主流的編號後幾位多是ACME3之類的,其中E表示制程,也就是25nm,而20nm的編號則是F,最後的數位可以理解為步進什麼的,這次F3顆粒的具體編號為JS29F64G08ACMF3。
CDM的成績
AS SSD成績
PCMark 7成績
從現有的測試成績看,20nm NAND快閃記憶體的SSD會比25nm下快閃記憶體的性能要低10%左右,尤其是4K隨機性能下降得比較多,不過目前還是試驗階段,考慮到固件還會繼續針對20nm進行優化,性能應該還會有所提升。
據SuperSSpeed透露,20nm快閃記憶體的成本會下降5-10%,反正目前SSD的性能已經足夠快了,價格還是主要瓶頸,期待一下,到了年底,20nm制程快閃記憶體SSD的大量上市,120GB的SSD會下降到500元嗎?
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