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作者: wu.hn8401
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[記憶體 卡 碟] 成本與性能齊降,20nm快閃記憶體SSD性能搶先曝光

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1#
wu.hn8401 發表於 2012-5-19 08:32:28 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
成本與性能齊降,20nm快閃記憶體SSD性能搶先曝光
  雖說Intel 20nm NAND快閃記憶體到Q3才開始量產,但是目前仍有小量的20nm NAND快閃記憶體試產出來,像在Intel NAND上極有資源優勢的SuperSSpeed,已經拿到了20nm的NAND快閃記憶體,並搭配SF2281主控開始生產新一代制程的SSD了。
imft-20nm_1.jpg

Intel NAND各制程下的Die比較

  從目前的資料看,20nm制程的L84顆粒Page會有8KB(TSOP封裝)和16KB(BGA封裝)兩種,由於密度的上升,每個Page的Spare Byte(用來存放ECC簽名)也明顯增加,比如說25nm時,一個8KB的Page需要有448bytes的Spare Area,當制程進步到20nm後,Spare Area卻需要744bytes,每1KB資料需要更多的ECC檢驗資料。對於SandForce主控來說,RAISE冗餘技術顯得就更加重要了。
  還是來看看20nm NAND的性能吧,測試平臺採用的是微星Z77主機板,Windows 7 SP1系統:
hdtpro_2.jpg

HD Tune Pro下的Info資訊(F3表示20nm制程)

  先關注一下HD Tune Pro中的Info,Serial這一項大多數情況下會顯示該SSD所有快閃記憶體的型號(一般為編號後幾位),對Intel快閃記憶體比較熟悉的同學應該會記得目前主流的編號後幾位多是ACME3之類的,其中E表示制程,也就是25nm,而20nm的編號則是F,最後的數位可以理解為步進什麼的,這次F3顆粒的具體編號為JS29F64G08ACMF3。
cdm_3.jpg

CDM的成績

asssd_4.jpg

AS SSD成績

pcmark7_5.jpg

PCMark 7成績

  從現有的測試成績看,20nm NAND快閃記憶體的SSD會比25nm下快閃記憶體的性能要低10%左右,尤其是4K隨機性能下降得比較多,不過目前還是試驗階段,考慮到固件還會繼續針對20nm進行優化,性能應該還會有所提升。
  據SuperSSpeed透露,20nm快閃記憶體的成本會下降5-10%,反正目前SSD的性能已經足夠快了,價格還是主要瓶頸,期待一下,到了年底,20nm制程快閃記憶體SSD的大量上市,120GB的SSD會下降到500元嗎?
 

2#
devilvsgod 發表於 2012-5-19 11:34:47 來自手機 | 只看該作者
感謝分享
3#
chinching0120 發表於 2012-5-19 16:59:15 | 只看該作者
所以容量加倍來補償壽命變短的問題囉!
這是否也表示,主流SSD也準備走入256G的時代了,
最好是4000元有找啦
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