DRAM市場露曙光 集邦預估08年需求成長40%

根據集邦科技(DRAMeXchange)日前發表的記憶體市場調查報告顯示，10月22~29日現貨市場eTT顆粒價格短期反彈至高點後開始拉回，DDR2 512Mb eTT收在1.05美元，跌幅約10.2%；而品牌顆粒並未受影響，跌幅僅有5.8%。

就市場面觀察，這次跌價的原因，主要是DDR2 eTT的供給大量開出、買氣縮手，加上本週適逢月底做帳，買方除非有訂單在手，否則不會進場買貨，以及上週所釋出的DDR2 eTT顆粒尚未消化完畢；因此集邦科技預測，DDR2 eTT顆粒將會很快再回探並逼近1美元的價位。

在PC需求方面，受到整體性的需求不佳與次級房貸的影響，第四季出貨量將比往年同期衰退5%，然而在DRAM廠尚未達成減產的共識下，11月份合約價將有可能持續走低。但由於合約價在10月已下跌頗深，DRAM廠不願意再大幅降價。預計11月、12月合約價繼續下跌幅度有限。

集邦科技最新研究報告指出，明年DRAM廠於DRAM資本支出將下降20%~25% YoY，而12吋廠產能的擴張也減緩，主要產能擴張來自台系廠如南科、茂德、瑞晶；而國際大廠主要產出增加來自70nm或更先進製程的轉進；至於韓系廠商Samsung及Hynix雖表示明年在DRAM產能沒有擴張的計劃，但以其製程轉進能力，三星仍預期明年DRAM供給位元成長70%。整體而言，集邦科技預估明年DRAM供給位元成長約50%，DRAM需求成長約40%。

10月下旬NAND Flash合約價平均下跌約0~10%左右，主要是因為下游廠商目前仍在積極的促銷降價活動，藉此降低庫存水位，再來進行年底旺季的備貨，使得10月份下游客戶的補貨量較小；其中8Gb以上的MLC NAND Flash產品供貨量，隨著廠商5X nm製程的產出量增加，所以跌幅較其它NAND Flash的產品稍大。集邦科技並預期11月份廠商庫存及客戶年底需求狀況將會進一步改善，而NAND Flash合約價價格屆時將會比較持穩。