Kioxia宣布量產業界首款採用四層單元技術的QLC UFS 4.0快閃記憶體。相較於傳統的TLC UFS有著更高的位元密度,使其適用於需要更高儲存容量的行動應用程式。
在效能方面,512GB容量的QLC UFS 4.0快閃記憶體充分發揮了UFS 4.0介面的高速潛力,實現了驚人的4200MB/s順序讀取速度和3200MB/s的順序寫入速度,為用戶帶來前所未有的資料傳輸體驗。
技術層面,Kioxia巧妙地將先進的BiCS FLASH 3D NAND快閃記憶體與高效的控制器晶片整合於JEDEC標準封裝之內,不僅支援M-PHY 5.0和UniPro 2.0的最新規範,還確保了每通道高達23.2Gb /s(或每設備46.4Gbps)的理論界面速度,同時保持了與UFS 3.1標準的向下相容性。
此外QLC UFS 4.0快閃記憶體也導入了多項前端特性,如HS-LSS(高速鏈路啟動序列),此特性相比傳統方法能顯著縮短鏈路啟動時間,提升效率約70%。同時透過採用高級RPMB技術,實現了對安全資料的快速讀寫訪問,進一步增強了資料保護能力。而擴展啟動器ID(Ext-IID)功能的加入,則旨在與UFS 4.0控制器的多循環隊列(MCQ)協同工作,共同提升系統的隨機性能,確保流暢的用戶體驗。
Kioxia強調這款QLC UFS 4.0快閃記憶體不僅完美對應智慧型手機和平板電腦,更預示著其在PC、網路設備、擴增實境/虛擬實境(AR/VR)以及人工智慧(AI)設備等下一代高科技領域中的廣泛應用前景,為這些領域帶來更高的儲存容量和卓越的效能提升。
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