(PR)Rambus的第四代DDR5 RCD現已推出，速度高達7200MT/s，可提升資料中心效能

Rambus宣布推出Gen4 DDR5 RCD，其速度比Gen1 DDR5裝置提高50%，速度高達7200MT/s。

新聞稿： Rambus是一家致力於讓資料更快、更安全的一流晶片和矽IP供應商，今天宣布推出最先進的Gen4 DDR5註冊時脈驅動器 (RCD)，該驅動器開始向主要DDR5記憶體模組(RDIMM)提供樣品) 製造商將於2023年第四季推出。

DDR5 RCD的特點

• 支援高達7200MT/s的數據速率
• 支援高達3600MHz的時脈速率
• 支援雙資料速率 (DDR) 和單一資料速率 (SDR) CA匯流排
• 每個RDIMM支援兩個獨立的子通道
• 每個子通道支援兩個物理列，總共四個物理列
• 支援高達16個邏輯列（每個實體列）的高容量RDIMM
• 每個子通道最多提供4個時脈：每5個設備1個時脈
• 低功耗1.1V VDD
• 5MHz（最大）I3C匯流排接口
  

Rambus Gen4 RCD將資料速率提高至7200MT/s，樹立了新的效能標準，並使記憶體頻寬比當今的4800MT/s DDR5模組解決方案增加了50%。它支援伺服器主記憶體效能的快速改進，以滿足生成式人工智慧和其他進階資料中心工作負載的需求。

Rambus營運長Sean Fan表示記憶體是伺服器效能的重要推動者，在生成式AI等要求嚴苛的工作負載的推動下，對更大記憶體頻寬的需求持續迅速成長。 Rambus Gen4 DDR5 RCD是我們致力於提供領先於市場需求的領先產品以支援客戶當前和計劃中的伺服器平台的承諾的最新體現。

IDC運算半導體副總裁Shane Rau表示在AI令人驚嘆的創新步伐的引領下，高階工作負載正在推動資料中心新伺服器平台的加速發展。 DDR5 RCD對於支援AI伺服器中RDIMM所需的效能、功耗和訊號完整性至關重要。

Rambus DDR5記憶體介面晶片（包括RCD、串行存在檢測 (SPD) 集線器和溫度感測器）對於將尖端伺服器的效能提升到新水平非常重要。 Rambus擁有30多年的高效能記憶體經驗，以其訊號完整性 (SI)/電源完整性 (PI) 專業知識而聞名。這些專業知識有助於DDR5記憶體介面晶片為資料中心伺服器RDIMM提供卓越的效能和可靠性。新的RCD現在可用於AMD和Intel的下一代資料中心解決方案。

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