SK Hynix 5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達56.1%

根據媒體報導SK Hynix在近期於美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，發布了關於3D DRAM技術的最新研究成果，展示了其在該領域的深厚實力與持續創新。

根據最新消息SK Hynix在3D DRAM技術的研發上取得了顯著進展，並首次詳細公佈了其開發的具體成果和特性。公司正全力加速這項前端技術的開發，並已取得重大突破。SK Hynix透露目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一數據意味著在單一測試晶圓上，能夠成功製造出約1000個3D DRAM單元，其中超過一半（即561個）為良品，可用於實際應用。

此外SK Hynix的實驗性3D DRAM在性能上已展現出與現有2D DRAM相媲美的特性。儘管3D DRAM技術擁有龐大的市場潛力和技術優勢，但SK Hynix也坦誠地指出在實現商業化之前，仍需進行大量的技術驗證和優化工作。

值得一提的是與2D DRAM的穩定運作不同，3D DRAM在效能上仍存在一定的不穩定性。因此SK Hynix認為要達到廣泛應用的目標，需要進一步提升3D DRAM的堆疊層數，實現32層至192層堆疊的儲存單元。這一目標的實現將大大推動3D DRAM技術的商業化進程。

在目前的DRAM市場中，三星、SK Hynix和美光等少數幾家主要參與者依然佔據主導地位，共同佔據了全球市佔率的96%以上。

消息來源