三星基本上完成8nm eMRAM記憶體開發，速度是NAND的1000倍

三星電子在日前的AI-PIM研討會上表示其8nm版本的eMRAM記憶體開發已基本完成，正按計畫逐步推進過程升級。 eMRAM是一種採用磁性原理的新型記憶體技術，與傳統的DRAM記憶體相比，它有非揮發性，不需要定期刷新數據，從而實現更高的能源效率。此外eMRAM的寫入速度達到了NAND​​記憶體的1000倍，這使得它能夠支援對寫入速率有更高要求的應用場景。

三星電子目前具備28nm eMRAM的生產能力，並已開始向智慧手錶等產品供貨。根據先前通報三星電子曾計劃在2024年量產14nm eMRAM，並在2026年實現8nm eMRAM的量產。

現在隨著8nm eMRAM開發的基本完成，該公司正朝著2027年推出5nm eMRAM的目標穩步前進。同時三星對eMRAM在未來車用領域的應用充滿信心，並表示其產品耐溫能力已達150~160℃，完全能夠滿足汽車產業對半導體的嚴苛要求。

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