傳三星計畫2025年量產2nm GAA晶圓，也將準備三款3nm GAA晶圓

據報導環柵技術將應用於三星的2nm晶片，韓國代工部門的目標是在2025年某個時候開始大規模生產該製程。定於6月16日至20日在夏威夷舉行的全球半導體會議VLSI Symposium 2024上展示了2nm (SF2) 製程中應用的特性。

這家韓國龍頭於2022年宣布推出3nm GAA製程，根據最新報導這家半導體製造商的目標是推出該技術的三個更新，類似於台積電在自己的3nm上所做的事情，從獨家的N3B開始蘋果公司使用的。三星將環柵技術商業化，帶來了多項優勢。例如，調整、放大和控制半導體體內的電流。

隨著這些晶片變得越來越小，控制電流變得困難，但GAA透過重新設計電晶體架構來提高功率效率解決了這個問題。儘管有這些好處，三星在確保各種客戶供應其晶圓方面基本上未能成功，因為它繼續遇到良率問題。再加上高昂的生產成本，該公司的潛在客戶並不認為這種合作關係在經濟上令人鼓舞。

先前據報導三星的3nm GAA良率只有可怕的20%，但這家代工龍頭成功扭轉了局面，使這一數字達到了原來的三倍。然而它的整體良率仍然落後於台積電，因此毫不奇怪，即使是高通和聯發科也對這家台灣半導體公司的技術表現出信心。三星在其GAA製程中開發了一項名為MBCFET的專有技術，並且隨著每一次3nm更新，都有性能和效率改進的報告。

三星顯然計劃推出第三代3nm GAA技術，據稱該技術可將功耗降低50%以上，並且由於面積減小而實現更高的整合度。也許透過未來的研究，三星可以提高其良率並將其提高到足夠高的數字，以便客戶開始對3nm GAA和2nm GAA版本表現出興趣。

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