美光宣布量產232層QLC NAND快閃記憶體：介面速度達2400M，比上一代提高50%

美光公司近日宣布已成功實現232層QLC NAND快閃記憶體的量產，並已向特定關鍵SSD客戶出貨。這款革命性的快閃記憶體產品不僅面向消費級客戶端，同時也將為企業級儲存客戶和OEM廠商提供強大支援，其中就包括Micron 2500 NVMe SSD。

美光強調這款四層單元的NAND快閃記憶體新品代表了業界的一大突破，其層數和密度均達到前所未有的水平。這種新型快閃記憶體不僅能實現比傳統NAND快閃記憶體更高的儲存密度和設計彈性，還能有效縮短存取時間，為各類應用提供更流暢的體驗。

美光的232層QLC NAND快閃記憶體憑藉著一系列卓越特性，為行動、用戶端、汽車、邊緣運算及資料中心等多樣化儲存需求提供了無與倫比的效能。這款快閃記憶體產品不僅擁有全球最高的位元密度，相比上一代176層QLC NAND快閃記憶體，其密度提升了高達30%。

在結構上這款新品也展現了顯著優勢，其緊湊程度比競爭對手的最新產品高出28%。此外美光的232層QLC NAND快閃記憶體也具備業界領先的I/O介面速度，高達2400 MT/s，較上一代產品提升了50%。

在性能表現方面這款新型快閃記憶體同樣令人矚目。其讀取效能相比上一代176層QLC NAND快閃記憶體提升了24%，而寫入效能更是提升了31%。這一系列的提升使得美光的232層QLC NAND快閃記憶體成為了市場上的佼佼者。

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