三星一直處於DRAM和UFS技術的前端,根據最新的路線圖該公司正在開發下一階段的超快高效儲存,即UFS 5.0標準。可惜的是詳細資訊表明我們不應該期望在 2027年之前實現這項技術,因為大量改進正在等待UFS 4.0標準。
儲存需求將逐漸逐漸增加,而現在隨著人工智慧的介入,公司開發可本地運行大型語言模型(LLM)的零件面臨更大的壓力。三星顯然正在突破儲存技術的界限,Revegnus在推特上分享的一張圖片顯示UFS 5.0目前正在開發中,但預計不會在2027年之前推出。這是否意味著該製造商將失去與競爭對手的優勢?
不完全是,因為據說三星還正在研發先進的UFS 4.0記憶體晶片,這將迎來新的效能門檻。UFS 5.0據說可以達到10GB/s的最大理論頻寬,而有4通道限制的UFS 4.0可以達到8GB/s的速度。據說三星將在2025年推出這種更快版本的UFS 4.0。未來Android智慧型手機可能會強制要求使用20GB RAM來運行設備上的LLM,但同樣重要的是設備配備的儲存晶片可以以令人難以置信的速度處理資料。
NVIDIA的Blackwell GPU架構就是這樣的一個例子,能夠達到高達8TB/s的頻寬。未來運行設備上的LLM可能會佔用智慧型手機現有儲存的15%左右,因此除了更高容量的晶片外,此前有報導稱三星正在開發一種特殊的UFS 4.0標準,該標準將針對運行AI操作進行最佳化, 而不會有效能瓶頸。遺憾的是該公司尚未推出這些晶片,因此雖然我們等不及UFS 5.0的到來,但我們仍然必須等待更快的UFS 4.0首先推出。
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