JEDEC應主要製造商的要求放寬HBM4記憶體厚度，在現有技術中啟用16層堆疊

據報導JEDEC為HBM4記憶體參與者提供了放鬆，可能允許更有效地開發16層堆疊。

HBM4是記憶體領域的下一個重大事件，每個公司都以最有效的方式參與開發這種記憶體類型，因為它最終將為下一代市場的成功奠定基礎。為了幫助製造商，ZDNet韓國報導稱JEDEC已決定將12層和16層HBM4堆疊的HBM4封裝厚度降低至775微米，因為更高的厚度會帶來複雜性。

此外製造商此前據稱會採用混合鍵合製程（一種較新的封裝技術）來減少封裝厚度，因為它使用與板載晶片和晶圓的直接鍵合。然而由於HBM4記憶體將是一項新技術，預計採用混合鍵合將導致價格整體上漲，這意味著下一代產品將更加昂貴，但混合鍵合的使用尚不確定然而，HBM製造商可能會利用JEDEC所做的放鬆。

關於何時可以看到採用HBM4的產品首次亮相， SK hynix計劃在2026年之前進行量產，初始樣品預計每堆疊容量高達36GB。眾所周知HBM4會在運算效能方面徹底改變人工智慧市場，因為該記憶體類型將透過將邏輯和半導體組合到單一封裝中來採用革命性板載晶片配置。由於台積電和 SK hynix最近結盟，HBM和半導體市場預計將在協作環境中發展。

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