(PR)工研院與台積電合作利用SOT-MRAM推進高速運算

工業技術研究院 (ITRI) 與台積電 (TSMC) 聯手，進行自旋軌道扭矩磁性隨機存取記憶體 (SOT-MRAM) 陣列晶片開發的開創性研究。這款SOT-MRAM陣列晶片展示了儲存架構中的創新運算，其功耗僅為自旋轉移矩磁性隨機存取記憶體 (STT-MRAM) 產品的百分之一。他們的合作成果是關於這種微電子元件的研究論文，該論文在2023年IEEE國際電子裝置會議(IEDM 2023) 上聯合發表，強調了他們的研究結果的前端性及其在推進下一代記憶體方面的關鍵作用技術。

工研院電子與光電系統研究室總經理張士傑博士強調了兩個組織的合作成果。張士傑博士表示繼去年在VLSI技術與電路研討會上發表共同撰寫的論文之後，我們進一步共同開發了SOT-MRAM單元。該單位單元同時實現了低功耗和高速運行，速度可達10ns。當與儲存電路設計中的運算整合時，其整體運算效能可以進一步增強。展望未來，該技術具有潛力高效能運算（HPC）、人工智慧（AI）、汽車晶片等領域的應用。

人工智慧、5G和AIoT的出現對快速處理產生了巨大需求，因此需要具有更高速度、穩定性和能源效率的新型記憶體解決方案。工研院與台積電的成功合作，不僅照亮了下一代儲存技術的發展之路，也增強了台灣在半導體領域的國際競爭優勢。

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