(PR)三星推出32Gb DDR5 DRAM，為128GB記憶體模組鋪平道路

三星推出了全球首款採用12nm級製程技術的32Gb DDR5 DRAM解決方案，可支援128GB的記憶體模組。

到目前為止SK hynix與Micron記憶體製造商僅提供高達24Gb DDR5 DRAM，可實現高達96GB的記憶體解決方案，但三星憑藉採用12nm製程，將密度提高33.3%的32Gb解決方案更上一層樓。與此同時Micron也確認了將有32Gb DDR5 DRAM，但迄今為止僅透過其路線圖宣布。

新聞稿：先進記憶體技術的全球領導者三星電子今天宣布該公司採用12nm級製程技術開發出業界首款且容量最高的32Gb (Gb) DDR5 DRAM。這一成就是在三星於2023年5月開始量產其12nm級16Gb DDR5 DRAM之後取得的。它鞏固了三星在下一代DRAM技術方面的領導地位，並標誌著大容量記憶體的新篇章。

憑藉我們的12nm級32Gb DRAM，我們獲得了一種能夠實現高達1TB的DRAM模組的解決方案，使我們能夠滿足人工智慧時代對大容量DRAM不斷增長的需求。 ，三星電子DRAM產品與技術執行副總裁SangJoon Hwang表示。我們將繼續通過差異化的製程和設計技術開發DRAM解決方案，打破記憶體技術的界限。

自1983年以來DRAM容量增加了50萬倍，三星於1983年開發出首款64kb DRAM，在過去40年裡已成功將其DRAM容量提高了500,000倍。三星最新的記憶體產品採用頂尖製程和技術開發，以提高整合密度和設計優化，擁有業界最高的單顆DRAM容量，並在相同封裝尺寸下提供兩倍於16Gb DDR5 DRAM的容量。

此前使用16Gb DRAM製造的DDR5 128GB DRAM需要採用矽通孔 (TSV)製程。不過透過使用三星的32Gb DRAM，現在可以在不使用TSV製程的情況下生產128GB模組，同時與採用16Gb DRAM的128GB模組相比，功耗降低約10%。這一技術突破使得該產品成為數據中心等注重用電效率的企業的最佳解決方案。

以其12nm級32Gb DDR5 DRAM為基礎，三星計劃繼續擴大其高容量DRAM產品陣容，以滿足計算和IT行業當前和未來的需求。三星將透過向數據中心以及需要人工智慧和下一代計算等應用的客戶提供12nm級32Gb DRAM，重申其在下一代DRAM市場的領導地位。該產品還將在三星與其他主要行業參與者的持續合作中發揮重要作用。

消息來源

終於願意標出 12nm 工藝, 這應該是 1gamma 工藝,
排在 1x, 1y, 1z, 1 alpha, 1 beta 之後.

讓人想到這幾年 DRAM 生產工藝牛步, 就十分火大.

可以想見, 1 gamma( 12nm ) 之後, 還會有一個 11nm.
蝸牛嘛~~~~