台積電已經在探索比1.4nm更先進的製程

隨著半導體製程深入到5nm以下，製造難度與成本與日俱增，摩爾定律的物理極限大約在1nm左右，再往下就要面臨嚴重的量子穿隧難題，導致電晶體管失效。當然，各大廠商的先進製程在實際尺寸上都是有浮誇一點的，所以紙面意義上的1nm製程還是會有的，台積電去年就組建團隊研發1.4nm製程，日前CEO劉德音又表示已經在探索比1.4nm更先進的製程了。

1.4nm再往下就是1nm了，這也是半導體行業都在追求的製程，去年IMEC歐洲微電子中心公佈的路線圖顯示，2nm之後是14A，也就是1.4nm，預計2026年問世，再往後就是A10，也就是1nm，2028年問世。當然實際能量產的時間可能回比2028年晚一些，畢竟新技術不跳票是不可能的。

與此同時在2nm之後的新製程研發生產中，EUV光刻機也要大升級一次，ASML預計會在2026年推出High NA技術的下一代EUV光刻機EXE:5000系列，將NA指標從當前的0.33提升到0.55，進一步提升光刻解析度。但是下一代EUV光刻機的代價也很高，售價會從目前1.5億美元提升到4億美元以上，最終價格可能還要漲。

消息來源