據報導Intel已經完成了其計劃的18A和20A製程的開發,這些製程將在內部和Intel代工服務 (IFS) 客戶中使用。新的1.8nm和2nm製程最快將於明年上半年準備好製造。
既然公司已經確定了新製程技術的規格,Intel就可以開始確定這兩種製程將於2024年上半年開始生產的時間。18A和20A(A代表angstroms)將採用從20A使用 RibbonFET電晶體管開始的新技術。RibbonFET和PowerVia的推出將加速背面功率傳輸,公司預計它將在半導體製程方面超越其競爭對手。
Intel的18A製程透過減小電晶體管的尺寸同時保持製程的功率來打造20A製程。公司此次推出的原定時間為2025年,現在公司調整為2024年下半年發布。
Intel還將用於開發18A製程的ASML Twinscan EXE掃描儀的使用更改為當前的Twinscan NXE掃描儀。兩台機器的區別在於,後者使用0.33數值孔徑 (NA) 光學器件開發製程,而前者使用0.55 NA光學器件。此外Intel將利用極紫外 (EUV) 雙圖案光刻技術。目前尚不清楚18A晶片系列將被納入其中,但該公司已正式確認20A製程技術將用於代號 Arrow Lake。Intel 18A被證明將被納入未來客戶端的Lake系列晶片、Rapids系列數據中心晶片組以及針對Intel客戶的代工晶片。
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