(PR)三星開發出業界首款速度高達7.2Gbps的12nm-Class DDR5 DRAM

三星宣布開發其下一代12nm-Class DDR5 DRAM，該DRAM能夠提供高達7.2Gbps的引腳速度。

新聞稿：先進記憶體技術的全球領導者三星電子有限公司今天宣布開發其16-gigabit (Gb) DDR5 DRAM，該記憶體採用業界首個12nm 級製程技術製造，作為以及完成與AMD相容性的產品評估。

這一技術飛躍是透過使用增加電池電容的新型高κ材料和改善關鍵電路特性的專有設計技術實現的。結合先進的多層極紫外 (EUV) 光刻技術，新型DRAM有業界最高的晶片密度，可將晶圓生產率提高20%。利用最新的DDR5標準，三星的12nm-Class DRAM將有助於解鎖高達每秒7.2Gbps的速度。這相當於在一秒鐘內處理兩部 30GB的UHD電影。

新DRAM的超常速度與更高的能效相匹配。12nm-Class DRAM的功耗比以前的DRAM低23%，將成為追求更環保的全球IT公司的理想解決方案。隨著大規模生產定於2023年開始，三星計劃將其這種尖端12nm Class製程技術打造的DRAM產品線擴展到廣泛的市場，因為它繼續與行業合作夥伴合作以支援下一代的快速擴展計算。

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