在IEDM上,Intel研究院展示了Moore’s Law如何生效以及Chipzilla計劃如何在2030年之前提供擁有1兆個電晶體管的下一代晶片。
新聞稿:在IEDM 2022上,在電晶體管誕生75週年之際,Intel的目標是將封裝技術的密度提高10倍,並使用厚度僅為3個原子的新型材料來推進電晶體管微縮。
最新消息:今天,Intel公佈了多項研究突破,推動其創新管道在未來十年內保持Moore’s Law在封裝上實現1兆個電晶體。在2022年IEEE國際電子設備會議 (IEDM) 上,Intel研究人員展示了3D封裝技術的進步,密度提高了10倍;超越RibbonFET的二維電晶體管新型材料,包括僅3個原子厚的超薄材料;用於更高性能計算的能源效率和記憶體的新可能性;和量子計算的進步。
IEDM上發生的事情:為紀念電晶體管問世75週年,Intel執行副總裁兼技術開發總經理Ann Kelleher博士將主持IEDM的全體會議。Kelleher將概述持續行業創新的前進道路——圍繞採用系統的戰略凝聚生態系統,以滿足世界對計算日益增長的需求,並更有效地創新以Moore’s Law的步伐前進。會議主題為“慶祝電晶體管問世75週年!看看Moores Law創新的演變”,將於太平洋標準時間12月5日星期一上午9:45舉行。
為何重要:Moore’s Law對於解決世界上永無止境的計算需求至關重要,因為激增的數據消費和對人工智慧 (AI) 增長的推動帶來了有史以來最大的需求加速。
持續創新是Moore’s Law的基石。在過去二十年中,個人電腦、顯示處理器和數據中心的許多關鍵創新里程碑,包括應變晶圓、Hi-K金屬柵極和FinFET,都始於Intel的研究小組. 進一步的研究,包括RibbonFET環柵 (GAA)電 晶體管、PowerVia背面功率傳輸技術,以及EMIB和Foveros Direct等封裝突破,都在今天的路線圖上。
在IEDM 2022上,Intel的研究小組展示了其在三個關鍵領域進行創新以延續Moore’s Law的承諾:新的3D混合鍵合封裝技術可實現小晶片的無縫整合;超薄二維材料,可將更多電晶體管裝入單個晶片;以及用於更高性能計算的能源效率和記憶體的新可能性。
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