SK hynix的LPDDR5X RAM採用高K金屬柵極製程，可將功耗降低25%，同時將速度提高到8.5Gbps

SK hynix最近宣布了適用於各種應用和產品的更節能的LPDDR5X RAM版本，這一壯舉是使用稱為HKMG（高K金屬門）製程實現的。隨著頻寬的增加和功耗的降低，新的記憶體晶片將非常適合在攜帶式電腦和智慧手機中執行。

SK hynix進一步擴展HKMG表示，它在DRAM電晶體管內部的絕緣膜中使用了一種擁有高介電常數的材料。這種方法減少了電流洩漏並提高了電容，最終提高了速度，同時降低了功耗。這就是製造商聲稱透過將功耗降低25%實現了業界最高效率等級的原因。相比之下三星的LPDDR5X RAM將功耗降低了20%  ，同時提供相同的8.5Gbps速度。

新的LPDDR5X RAM還可以在JEDEC（聯合電子設備工程委員會）設定的1.01至1.12V的超低電壓範圍內執行，這解釋了新記憶體晶片的功耗降低。至於上述速度，SK hynix聲稱它比上一代LPDDR5標準快了33%，與三星自己的LPDDR5X版本相匹配。

消息來源