SK Hynix採用UFS 4.0規範的238層V8 NAND最早明年上半年量產

SK Hynix將把目前最高的238層NAND（V8）應用於新一代UFS（通用快閃記憶體）的最新規格產品，預計最早明年上半年可以量產。UFS是應用國際半導體標準化機構JEDEC的內建儲存器接口的快閃記憶體，這是為智慧手機、平板電腦等行動家電而製定的新一代標準，與傳統的MMC（多媒體卡）相比，數據處理速度和電源效率要高得多。

UFS 4.0 是今年5月正式批准的最新標準，其數據傳輸頻寬為23.2 Gbps，是之前UFS 3.1 的兩倍。

最先提出UFS 4.0開發和量產計劃的企業是三星電子。三星電子將於5月在世界上首次開發UFS 4.0，從本月開始正式投入量產。三星電子的UFS 4.0搭載了自主開發的UFS 4.0控制器和第七代176層NAND（V7），連續讀取和連續寫入速度分別為4200MB/s、2800MB/s。封裝水規格為長11mm、寬13mm，高1.0mm。

SK Hynix也制定了UFS 4.0的具體開發計劃。SK Hynix將在UFS 4.0上搭載V7和V8 NAND作為主力。其中V8是SK Hynix在世界上首次開發的目前最高238層NAND，與前幾代176層相比，傳輸速度更加出色。與傳統的封裝相比，TLC 4D封裝技術在減少單位單元面積的同時，生產效率更高也是主要特點。

SK Hynix正在開發的UFS 4.0的數據處理速度是連續讀取4000MB/s，連續寫入2800MB/s水平。外形為寬11mm、長13mm、高0.8mm，是一種非常薄的封裝形式。目前SK Hynix已經向主要客戶公司提供了238層NAND樣品，計劃明年上半年進行量產。因此搭載V8 NAND的UFS 4.0最早也有望從明年上半年開始量產。

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