Intel將在2025年奪回製程技術領先地位，Intel 18A製程研發正在加速

Intel在去年七月份的Intel加速創新：製程和封裝技術線上發布會上，展示了一系列底層技術創新，以驅動Intel到2025年乃至更遠未來的新產品開發。

除了公佈其近十多年來首個全新電晶體管架構RibbonFET和業界首個全新的背面電能傳輸網路PowerVia之外，Intel還重點介紹了迅速採用下一代極紫外光刻（EUV）技術的計劃，即高數值孔徑（High-NA）EUV，並將部署業界第一台High-NA EUV光刻機。

Intel最新製程路線圖看起來是非常積極的，這是一個四年內推進五個製程的計劃。雖然Pat Gelsinger回歸Intel擔任CEO以後，藍色巨人的表現有所起色，但鑑於過去多年來的羸弱表現，不少人對這份製程路線圖持保留態度。近日半導體諮詢公司IC Knowledge的總裁Scotten Jones為SemiWiki撰寫了一篇文章，談及了自己對Intel的計劃從懷疑到獲得信心的過程。

Scotten Jones分析了Intel、台積電和三星未來幾年可能的半導體技術研發情況，認為Intel隨著更多地使用極紫外（EUV）光刻設備，加上在Intel 20A製程導入RibbonFET和PowerVia兩大突破性技術，將會有一個巨大的突破。預計2024年末（最初的說法是2025年初）Intel將推出對RibbonFET改進後的Intel 18A，那麼很可能在2025年壓倒台積電的N2製程，取得每W性能的領先。

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我預測2025不可能壓倒台積.