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    [機殼&電源 Cases&PSU] be quiet! PURE POWER 11 FM 850W金牌全模組化電源開箱

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    XF-News 發表於 2022-3-14 09:56:25 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
    Be-quiet-Pure-Power-11-FM-850W_774x300.jpg


    特色:
    ●通過80PLUS金牌認證,降低廢熱產生,節省電能消耗及電費支出
    ●全模組化設計,搭配黑色隔離網包覆(ATX20+4P)及帶狀(EPS 8P/EPS 4+4P/PCIE 6+2P/SATA/大4P/小4P)模組化線組
    ●提供EPS 8P及4+4P接頭各一,支援Intel/AMD最新處理器/主機板平台
    ●雙路12V輸出,半橋LLC諧振轉換,搭配12V同步整流及3.3V/5V/-12V DC-DC轉換設計,使12V可用功率最大化,改善各輸出電壓交叉調整率
    ●採用12公分be quiet!風扇,獨家設計的扇葉可提高風流表現並降低運轉時的噪音,同時搭配溫控調節轉速,能在散熱效能與靜音中取得平衡
    ●提供OCP/OVP/UVP/SCP/OPP/OTP保護

    be quiet! PURE POWER 11 FM 850W輸出接頭數量:
    ATX20+4P:1個
    EPS 8P:1個
    EPS 4+4P:1個
    PCIE 6+2P:4個
    SATA:10個
    大4P:2個
    小4P:1個


    ↑本體外盒正面左側銀色帶狀區域下方有essential系列名稱,左上有80PLUS金牌認證,右上有商標,中央有產品外觀圖,下方有產品名稱及輸出功率


    ↑外盒背面左側有產品名稱、簡介、80PLUS金牌認證、安規認證、輸入電壓/電流/頻率、各組最大輸出電流/功率、總輸出功率,右側有多國語言”此PC電源供應器的產品資訊”說明/QR碼連結、條碼、官方網址


    ↑外盒上下側面,有商標、產品名稱、輸出功率


    ↑外盒其中一個側面有出貨保固用貼紙


    ↑包裝內容,有電源本體、模組化線路、15A三芯2.0mm²交流電源線、固定螺絲、限用物質認證表、使用說明書、塑膠束帶


    ↑本體尺寸為150mm(W)x86mm(H)x160mm(D)


    ↑本體其中一個側面有商標字樣打凸


    ↑另一側面的標籤有商標、產品名稱、型號、輸入電壓/電流/頻率、各組最大輸出電流/功率、總輸出功率、安規認證、80PLUS金牌認證、警告訊息、條碼、產地


    ↑風扇圓形開口邊緣有一圈銀色裝飾,開口用黑色直條風扇護網蓋住,扇葉軸心處有商標


    ↑出風口處設有交流輸入插座及電源總開關,交流輸入插座上方有商標,電源總開關上方有輸入電壓範圍標示


    ↑模組化線組輸出插座旁有名稱及所屬12V迴路白色字體標示


    ↑一組主機板電源黑色編織網包覆模組化線路,提供1個ATX20+4P接頭,線路長度為54公分


    ↑兩組處理器電源黑色帶狀模組化線路,提供1個EPS 8P及1個EPS 4+4P接頭,線路長度為59公分


    ↑兩組顯示卡電源黑色帶狀模組化線路,提供4個PCIE 6+2P接頭,至第一個接頭線路長度為49公分,接頭間線路長度為14.5公分


    ↑兩組SATA接頭黑色帶狀模組化線路,提供8個直角SATA接頭,至第一個接頭線路長度為49.5公分,接頭間線路長度為14.5公分


    ↑一組SATA/大4P/小4P接頭混合配置黑色帶狀模組化線路,提供2個直角SATA接頭、2個省力易拔大4P接頭及1個小4P接頭,至第一個接頭線路長度為50公分,接頭間線路長度為14.5公分,末端小4P接頭的線路長度為14.5公分


    ↑將所有模組化線路插上的樣子


    ↑be quiet! PURE POWER 11 FM 850W內部結構及使用元件說明簡表


    ↑be quiet! PURE POWER 11 FM 850W為HEC代工,採用APFC、半橋諧振(HB-LLC)、二次側12V同步整流,並經由DC-DC轉換3.3V/5V/-12V


    ↑採用be quiet! BQ QF2-12025-HS 12公分12V/0.3A 2000RPM風扇,沒有設置氣流導風片


    ↑風扇正面扇葉近照,扇葉軸心處有商標貼紙


    ↑移除主電路板後,可以看到二次側同步整流MOSFET位置處加上灰色導熱墊(紅色框),導熱墊下方的黑色絕緣墊片也有開孔,使導熱墊可以直接接觸金屬外殼


    ↑電路板背面,焊點做工良好


    ↑交流輸入插座及總開關後方加上小電路板,電路板背面蓋上黑色絕緣隔板,L/N電源線、磁芯與插片式連接器均有包覆絕緣套管


    ↑小電路板上面有1個共模電感(CM1)、2個Y電容(CY1/CY2)、2個X電容(CX1/CX2)及X電容放電IC(MPS HF81)


    ↑電路板交流輸入端EMI濾波電路有1個共模電感(CM2),1個X電容(CX3),2個Y電容(CY3/CY4)。直立安裝的保險絲有包覆套管,突波吸收器未包覆套管


    ↑兩顆並聯配置的GBU15KL橋式整流器,在中間加上一片較小散熱片後一起固定在大散熱片上


    ↑散熱片銀色金屬板上安裝APFC功率元件,有3顆Infineon IPA60R180P7S全絕緣封裝MOSFET及1顆CREE/Wolfspeed C6D08065A二極體,下面2個比流器用來偵測電流。左方輔助電源電路變壓器外包覆黑色聚酯薄膜膠帶


    ↑封閉式磁芯APFC電感


    ↑APFC電容採用2顆TEAPO 400V 390µF LG系列105℃電解電容並聯組合,總容值為780µF


    ↑左上APFC控制子卡上面有Champion CM6500UNX及Champion CM03AX。右下輔助電源電路一次側使用Excelliance MOS EM8569D整合式電源IC。左下NTC熱敏電阻用來抑制輸入湧浪電流,在電源啟動後會使用繼電器將其短路,去除NTC所造成的功耗損失


    ↑圖左一次側散熱片兩側各安裝1顆Infineon IPA60R120P7全絕緣封裝MOSFET。主變壓器旁2個諧振電容與1個諧振電感組成一次側LLC諧振槽,諧振電感外包覆黑色聚酯薄膜膠帶


    ↑一次側MOSFET的隔離驅動變壓器


    ↑主電路板背面有6顆恆泰科Hunteck HGN016N04BL MOSFET組成全波同步整流電路,除了透過焊點將熱量傳導至正面金屬板及散熱片外,熱量也會透過導熱墊傳遞至背面外殼


    ↑主電路板背面的Champion CM6901T6X負責控制一次側半橋諧振轉換器及二次側12V同步整流MOSFET


    ↑主變壓器旁二次側同步整流MOSFET散熱用直立銀色金屬片上面加裝黑色鋁鰭片,增大散熱面積


    ↑鋁鰭片之間加裝固定塑膠柱。下方有12V輸出濾波電路用TEAPO固態電容、黃色磁芯電感與TEAPO電解電容


    ↑3.3V/5V DC-DC+電源管理電路子卡正面有環形電感、TEAPO/ELITE固態電容、Nippon Chemi-con電解電容。模組化輸出插座板背面左上角處有-12V DC-DC電路


    ↑3.3V/5V DC-DC+電源管理電路子卡左側有Weltrend WT7527RT電源管理IC,負責監控輸出電壓及電流、接受PS-ON信號控制、產生Power Good信號


    ↑3.3V/5V DC-DC+電源管理電路子卡背面MOSFET部份加上灰色導熱墊接觸散熱板,散熱板與模組化輸出插座板之間用塑膠柱墊高隔開


    ↑模組化輸出插座板正面插座之間安置6顆TEAPO固態電容、5顆ELITE固態電容及5顆TEAPO電解電容,主電路板上還有4顆TEAPO固態電容,加強輸出濾波/退耦效果


    接下來就是上機測試

    測試文閱讀方式請參照此篇:電源測試文閱讀小指南
    https://wolflsi.pixnet.net/blog/post/67908465


    ↑be quiet! PURE POWER 11 FM 850W於20%/50%/100%下效率分別為91.77%/92.37%/89.66%,符合80PLUS金牌認證要求20%輸出87%效率、50%輸出90%效率、100%輸出87%效率
    從電源本體及線組插頭處測試的電壓差異,會對效率產生0.05%至0.4%的影響


    ↑be quiet! PURE POWER 11 FM 850W於10%、20%、50%、100%的交流輸入波形(黃色-電壓,紅色-電流,綠色-功率)。50%輸出下功率因數為0.9771,符合80PLUS金牌認證要求50%輸出下功率因數需大於0.9的要求


    ↑綜合輸出負載測試,輸出54%時3.3V/5V電流達14A以後就不再往上加,3.3V/5V/12V電壓記錄如下表


    ↑綜合輸出8%至99%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為64.9mV


    ↑綜合輸出8%至99%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為62.9mV


    ↑綜合輸出8%至99%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為75mV


    ↑偏載測試,這時12V維持空載,分別測試3.3V滿載(CL1)、5V滿載(CL2)、3.3V/5V滿載(CL3)的3.3V/5V/12V電壓變化,並無出現超出±5%範圍情形(3.3V:3.135V-3.465V,5V:4.75V-5.25V,12V:11.4V-12.6V)


    ↑純12V輸出負載測試,這時3.3V/5V維持空載,3.3V/5V/12V電壓記錄如下表


    ↑純12V輸出6%至100%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為37.1mV


    ↑純12V輸出6%至100%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為35.9mV


    ↑純12V輸出6%至100%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為68mV


    ↑電源PS-ON信號啟動後直接3.3V/14A、5V/14A、12V/60A滿載輸出下各電壓上升時間圖,從12V開始上升處當成起點(0.000s)時,12V上升時間為9ms,5V與3.3V上升時間為5ms


    ↑3.3V/14A、5V/14A、12V/60A滿載輸出下斷電的Hold-up time時序圖,從交流中斷處當成起點(0.000s)時,12V於22ms開始出現壓降,23ms降至11.4V(圖片中資料點標籤)

    以下波形圖,CH1黃色波形為動態負載電流變化波形,CH2藍色波形為12V電壓波形,CH3紫色波形為5V電壓波形,CH4綠色波形為3.3V電壓波形


    ↑不同12V輸出電流下的漣波,12V0A(空載)至12V2A漣波呈現鋸齒狀,12V3A至12V5A無明顯漣波,12V6A以後的漣波波形不再改變


    ↑於3.3V/14A、5V/14A、12V/60A(綜合全負載)輸出下,12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為27.6mV/10.8mV/12mV,高頻漣波分別為23.2mV/12mV/11.2mV


    ↑於12V/70A(純12V全負載)輸出下,12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為26mV/8mV/8mV,高頻漣波分別為25.6mV/8.8mV/8.4mV


    ↑3.3V啟動動態負載(上圖),變動範圍5A至15A,維持時間500微秒,最大變動幅度為824mV,同時造成5V產生452mV、12V產生456mV的變動。5V啟動動態負載(下圖),變動範圍5A至15A,維持時間500微秒,最大變動幅度為560mV,同時造成3.3V產生348mV、12V產生272mV的變動


    ↑12V啟動動態負載,變動範圍5A至25A,維持時間500微秒,最大變動幅度為220mV,同時造成3.3V產生68mV、5V產生84mV的變動


    ↑12V啟動動態負載,變動範圍25A至50A,維持時間500微秒,最大變動幅度為238mV,同時造成3.3V產生88mV、5V產生112mV的變動


    ↑12V啟動動態負載,變動範圍30A至60A,維持時間500微秒,最大變動幅度為332mV,同時造成3.3V產生106mV、5V產生134mV的變動


    ↑12V啟動動態負載,變動範圍10A至60A,維持時間500微秒,最大變動幅度為464mV,同時造成3.3V產生146mV、5V產生188mV的變動


    ↑電源供應器滿載輸出下內部的紅外線熱影像圖(附註:安裝位置環境溫度會影響測試結果)


    ↑電源供應器滿載輸出下橋式整流(上圖)及APFC電感(下圖)的紅外線熱影像圖(附註:安裝位置環境溫度會影響測試結果)


    ↑電源供應器滿載輸出下APFC MOSFET/DIODE(上圖)及一次側MOSFET/諧振電感(下圖)的紅外線熱影像圖(附註:安裝位置環境溫度會影響測試結果)


    ↑電源供應器滿載輸出下主變壓器/二次側(上圖)及DC-DC(下圖)的紅外線熱影像圖(附註:安裝位置環境溫度會影響測試結果)


    ↑電源供應器滿載輸出下背面外殼(上圖)及模組化插座(下圖)的紅外線熱影像圖(附註:安裝位置環境溫度會影響測試結果)


    本體及內部結構心得小結:
    ◆採用全模組化設計,搭配黑色編織網包覆(ATX20+4P)及帶狀(其他)模組化線組。提供1個EPS 8P、1個EPS 4+4P、4個PCIE 6+2P、10個直角SATA、2個省力易拔大4P、1個小4P
    ◆黑色直條風扇護網從外部安裝,可拆卸清潔,採用be quiet!自家2000RPM風扇
    ◆交流輸入插座與總開關後方設置獨立電路板安裝元件,並加裝絕緣隔板。L/N電源線、磁芯、插片式連接器、保險絲都有包覆套管,突波吸收器未包覆套管
    ◆電路板背面焊點做工良好,透過電路板二次側區域的導熱墊可將MOSFET的熱量傳導至外殼協助散熱
    ◆採用APFC、半橋諧振(FB-LLC)架構、同步整流輸出12V,並透過DC-DC轉換3.3V/5V/-12V
    ◆APFC及一次側MOSFET使用Infineon,APFC二極體使用CREE/Wolfspeed,12V同步整流MOSFET使用恆泰科Hunteck,APFC與一次側均使用全絕緣封裝MOSFET
    ◆內部電容採用TEAPO、ELITE品牌
    ◆二次側電源管理IC可偵測輸出電壓與電流是否在正常範圍
    ◆模組化插座板與主電路板透過電路板焊盤、金屬片及金屬插針焊接連接

    各項測試結果簡單總結:
    ◆be quiet! PURE POWER 11 FM 850W於20%/50%/100%下效率分別為9177%/92.37%/89.66%,符合80PLUS金牌認證要求20%輸出87%效率、50%輸出90%效率、100%輸出87%效率
    ◆be quiet! PURE POWER 11 FM 850W的功率因數修正,滿足80PLUS金牌認證要求輸出50%下功率因數需大於0.9
    ◆偏載測試,12V維持空載,測試3.3V滿載、5V滿載、3.3V/5V滿載的3.3V/5V/12V電壓變化,均無出現超出±5%範圍情形
    ◆電源啟動至綜合全負載輸出狀態,12V上升時間為9ms,3.3V/5V上升時間為5ms
    ◆綜合全負載輸出狀態切斷AC輸入模擬電力中斷,12V於22ms開始出現壓降,23ms降至11.4V
    ◆空載至12V2A漣波呈現鋸齒狀,12V3A至12V5A無明顯漣波,12V6A以後的漣波波形不再改變;於綜合全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為27.6mV/10.8mV/12mV;於純12V全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為26mV/8mV/8mV
    ◆3.3V/5V動態負載測試,變動範圍5A至15A,維持時間500微秒,最大變動幅度分別為824mV/560mV
    ◆12V動態負載測試,變動範圍5A至25A,維持時間500微秒,最大變動幅度為220mV
    ◆12V動態負載測試,變動範圍25A至50A,維持時間500微秒,最大變動幅度為238mV
    ◆12V動態負載測試,變動範圍30A至60A,維持時間500微秒,最大變動幅度為332mV
    ◆12V動態負載測試,變動範圍10A至60A,維持時間500微秒,最大變動幅度為464mV
    ◆熱機下3.3V過電流截止點在33A(150%),5V過電流截止點在40A(182%),12V1過電流截止點在53A(133%),12V2過電流截止點在47A(131%)

    報告完畢,謝謝收看

    作者:愛搞電的港都狼仔
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