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作者: XF-News
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    [記憶體/卡/碟] Western Digital 與鎧俠共同推出第六代3D快閃記憶體

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    XF-News 發表於 2021-2-25 14:55:54 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
    Western Digital與鎧俠共同推出第六代3D快閃記憶體
    透過創新擴充與CuA架構,成就雙方史上密度最高、最先進的3D快閃記憶體技術

    Western Digital與鎧俠株式會社(Kioxia)今日共同宣布完成第六代162層的3D快閃記憶體(BiCS6)技術開發,為雙方20年的合作關係立下一個全新里程碑。Western Digital與鎧俠採用多種新技術與創新製造工藝,開發出迄今密度最高、最先進的3D快閃記憶體。

    鎧俠技術長Masaki Momodomi表示:「鎧俠和Western Digital長達20年緊密的合作關係,展現出強大的製造與研發能力,在全球製造30%以上的快閃記憶體,並堅守以合理價格提供卓越的容量、效能和穩定性的使命。雙方將貫徹此價值信念於一系列以數據為中心的個人電子裝置、資料中心,以及5G網路、人工智慧和自動系統支援的新興應用中。」

    創新製造工藝打造全新架構,超越垂直擴充技術

    Western Digital技術與戰略總裁Siva Sivaram博士表示:「摩爾定律於半導體產業已接近其物理極限,但在快閃記憶體的技術演進卻仍能依循摩爾定律發展。為持續優化並滿足全球與日劇增的數據需求,如何拓展3D快閃記憶體容量是重要關鍵。針對新一代的產品, Western Digital和鎧俠採用創新技術於垂直和橫向擴充,成功達成在更少層、更小晶粒中提供更大容量,並滿足客戶對效能、穩定性與成本的要求。」

    第六代3D快閃記憶體擁有超越傳統八維堆疊儲存通孔陣列的先進架構,橫向儲存單元陣列密度較第五代技術大幅提升10%;此橫向擴充的先進技術與162層堆疊垂直記憶體結合,使每晶粒尺寸相比112層堆疊技術減少40%,達到最佳成本效益。

    Western Digital和鎧俠團隊於第六代3D快閃記憶體上亦採用Circuit Under Array CMOS和4-plane架構,相較於上一代產品,程式效能提升近2.4倍,讀取延遲降低10%。而I/O效能亦可提升66%,使新一代介面可滿足日益增長的快速傳輸速率需求。

    整體而言,全新3D快閃記憶體技術與上一代相比,不僅降低每單位的成本,也使每晶圓可製造的晶粒數增加70%。Western Digital和鎧俠將持續推動創新技術以擴充記憶體容量,滿足客戶及其多樣的應用需求。

    關於鎧俠
    鎧俠是全球記憶體解決方案領導者,致力於開發、生產和銷售快閃記憶體及固態硬碟(SSD)。東芝公司於1987年發明了NAND快閃記憶體,2017年4月,鎧俠前身東芝記憶體集團從東芝公司剝離。鎧俠致力於以記憶體來提升世界,提供的產品、服務和系統可為客戶創造選擇,同時為社會創造記憶體的價值。鎧俠創新的3D快閃記憶體技術BiCS FLASH™,正在塑造諸多高密度應用的未來儲存方式,其中包括高階智慧手機、PC、SSD、汽車和資料中心等。

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    關於Western Digital
    Western Digital創造數據蓬勃的環境。作為數據基礎架構的領導者,該公司正推動所需的創新環境,協助客戶在與日俱增的數據中進行擷取、保存、存取與轉換。在無所不在的數據生活中,從先進的資料中心、行動裝置感測器,到個人的裝置,提供領先業界對於數據可行性的解決方案。Western Digital®以數據為中心的解決方案會以Western Digital®、G-Technology™、SanDisk®和 WD®品牌銷售。
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