台積電 2 奈米 GAA 研發提前，三星彎道恐難超車

根據 TechNews 科技新報的報導，台積電 2 奈米製程研發，現已離開尋找路徑階段，進入交付研發，且法人預期 2023 年下半即可風險性試產。

▲台積電總裁魏哲家

台積電去年就成立 2 奈米專案研發團隊，在考量成本、設備相容、技術成熟及效能表現等多項條件下來尋找可行路徑，如今台積電雖然仍沒有公布細節，但已表示將會是全新架構。而據供應鏈消息透露，台積電 2 奈米即將改採全新的 GAA 基礎，使用多橋通道場效電晶體（MBCFET）架構。

這是由於 3 奈米已達 FinFET 技術的瓶頸，會出現製程微縮產生電流控制漏電的物理極限問題，就算有 EUV 技術加持，但 2 奈米勢必要轉換跑道。雖然三星提早在 3 奈米就打算採用 GAA ，意圖在此技術上彎道超車台積電，但台積電研發多年的奈米片（Nano Sheet）堆疊關鍵技術，及 EUV 運用經驗，將能使良率提升更順利。

所以不少法人預期，若 2 奈米在 2023 年即能投產，三星就算在彎道恐怕也超不了車。就目前台積電所公布的製程推進現況來看，採用 EUV 的 5 奈米良率已快速追上 7 奈米，顯見台積電在良率提升上的底蘊，甚至有業界預期風險試產良率即可到 9 成。三星雖提前量產 3 奈米 GAA，但在性能上未必能壓過台積電，而 GAA 良率上的落差可能也不會如預期般明顯，且據傳 2 奈米背後還有蘋果的研發能量支持。

不過未來半導體製程將會更加競爭，不僅是三星，英特爾的 SuperFin 技術也不可小覷，雖然奈米節點時程落後，但實際性能並不真的多差。早有輿論認為，台積電及三星的製程競逐，很多只是數字遊戲，而英特爾其實相對踏實，就實際電晶體密度等指標來看，新的英特爾 10 奈米強化版已接近台積電 5 奈米，是非常大的單一節點升級。

只要英特爾也敢忍痛殺價，SuperFin 仍然很有高階製程市場的競爭力，就如同三星 8 奈米已打出一片市場一般，台積電雖然還佔有優勢，但仍不能輕敵。目前台積電已表示，未來 2 奈米研發生產將落腳新竹寶山，將規劃建設 4 個超大型晶圓廠，將成為下一輪半導體大戰主力。


消息/圖片來源：TechNews 科技新報

英特爾使用三星技術就注定不行看看n卡3000的高火力暖化幫兇.