Kioxia和WD推出針對智慧手機的UFS 3.1儲存晶片

距離JEDEC正式發布UFS 3.1規範還不到一個月，Kioxia和WD就已經推出了首款適用於智慧手機的UFS 3.1儲存晶片。前者將很快把相關樣品交付給製造商，後者亦有望在下月實現商用，正好可以趕上5G主流智慧機廠商的新品發布。

WD的iNAND EU521 嵌入式方案，採用了行業標準的11.5×13×1.0 mm 封裝形式，輔以該公司專有的控制器方案+ 96層3D TLC，可選128/256GB容量。因內部並行度較低，iNAND EU521 讀/寫速度可達800 MB/s，較去年推出的iNAND 511 方案（750 MB/s）有一定的提升。iNAND EU521支援UFS 3.1 的三項關鍵改進：（1）通過SLC快取模擬來加入寫入性能；（2）深度睡眠模式；（3）性能節流通知。

WD強調稱通過韌體更新來實現的SmartSLC Gen 6 寫入加速技術，已在該公司iNAND 產品線上使用多年、且迎來了多種方式的改進。需要注意的是其並不支援任何類型的主機性能加速（Host Performance Booster），這對128/256GB 的小容量儲存並沒有那麼重要（512GB 版本可能在後續發布）。

Kioxia的UFS 3.1解決方案略有不同，該公司將提供一系列符合UFS 3.1規範的儲存，採用11.5×13×1.0 mm 封裝、可選128 / 256 / 512GB 和1TB 容量。其使用最新的BiCS 3D NAND，但Kioxia暫未透露將有哪些設備採用。該公司使用了自研的UFS 3.1控制器，支援寫入加速、深度睡眠和性能節流通知等標準特性。

Kioxia強調順序讀取較UFS 3.0 產品提升了約30%（HPB 亦有望提升隨機性能），但實際表現暫不清楚。至於有哪些智慧機廠商會採用該公司的方案，還請拭目以待。

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