Western Digital 1.33Tb – 4-bits-per-cell 96層架構3D NAND開始送樣

Western Digital公司宣佈已成功開發出第二代4-bits-per-cell 3D NAND架構。透過專為Western Digital 96層BiCS4產品導入的QLC技術，已成功開發出業界儲存容量最高的單顆粒3D NAND，其單一儲存容量可提升至1.33 Tb(Terabits)。

BiCS4是Western Digital與合作夥伴東芝記憶體(Toshiba Memory Corporation)於日本四日市合資設立之快閃記憶體製造廠區研發，目前已開始送樣，預計今年量產出貨，並於旗下SanDisk品牌之消費性產品率先使用。Western Digital希望BiCS4應用能擴展至各種領域，由零售至企業級SSD市場。


Western Digital矽晶片技術與製造部門(Silicon Technology and Manufacturing)執行副總裁Siva Sivaram博士表示：「藉由Western Digital在矽晶片處理、裝置工程和系統整合等方面的能力，QLC技術能提供16個不同單元閾值電壓來進行資料讀取和儲存。此次BiCS4 QLC是我們以前一代應用在64層BiCS3的QLC架構基礎上優化而成的第二代4-bits-per-cell產品。具備NAND產品中最佳內在成本結構之餘，更突顯我們在快閃記憶體創新技術開發的實力，能為客戶的資料進一步在零售、行動、嵌入式、客戶端及企業級等應用環境下持續發展。我們預期此4-bits-per-cell技術將在上述所有應用中成為主流。」


關於Western Digital

Western Digital Corporation推動數據繁榮，締造輝煌成就。該公司提供創新的儲存技術和解決方案，能讓用戶創建丶保存丶存取丶體驗和改變日益增加的數據多樣性。從先進的資料中心丶行動裝置感測器，到個人的裝置，數據無所不在，我們提供業界領先的解決方案來探索數據的可能性。

Western Digital®以數據為中心的解決方案會以G-Technology™、HGST、SanDisk®、Tegile™、Upthere™ 和 WD®品牌銷售。


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前瞻性聲明

本新聞稿包含部分前瞻性陳述，包括 Western Digital 1.33Tb 4-bits-per-cell  96層3D NAND裝置之預計上市時間、效益、功能、價格與效能。這些前瞻性陳述涉及風險和不確定因素，可能導致這些前瞻性陳述失準，其中包括：全球經濟情勢波動；儲存生態系統的業務狀況與成長；競爭產品與定價的影響；市場接受度，以及商品原料和特殊產品零組件的成本；競爭對手的行動；具競爭關係之技術出現意外進展；我們根據新技術所開發與推出之產品，以及在資料儲存新市場的擴張行動；併購、合資相關風險；製造過程出現困難或延遲；以及公司呈交給美國證管會(SEC) 文件中所列其他風險及不確定因素，這些文件包括2018年5月8日呈交給SEC之Form 10-Q，提醒您特別留意。

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