西數開始生產“全球最高”的 3D NAND 快閃記憶體晶片

西部資料（WD）於今日宣佈其已開始生產業內最密集的 3D NAND 快閃記憶體晶片，堆疊達到了 64 層。當然，每單元存數比特位元數也從 2 增加到了 3（說白了就是從 MLC 變成了 TLC）。西數及其合作夥伴東芝將其“垂直 3D 堆疊技術”稱作 Bit Cost Scaling（簡稱 BiCS），而西數方面也已開產首批 64 層 @ 512 Gb 的 3D NAND 晶片。

上圖來自東芝

其生產過程與摩天大樓的建造類似，能夠在較小的地面上組合出密集的結構，使得每 Gb 的成本效益更加明顯。此外，這項技術還增加了資料可靠性、以及固態存儲是速度。
3D NAND 讓製造商們可以克服 NAND 快閃記憶體的物理限制，因為隨著電晶體尺寸接近 10nm，其進一步收縮的能力將迅速消散。

西數 BiCS 3D NAND 快閃記憶體結構圖（64 層堆疊）

最新 3D NAND 快閃記憶體已經用到了一片外形如同口香糖般大小、但容量高達 3.3 TB 的固態硬碟（SSD）驅動器上。如果採用 2.5 英寸的外形，其容量更可輕鬆超過 10 TB 。

除了三星和東芝，英特爾和鎂光也在生產 3D NAND 產品。
三星是首家宣佈量產 3D 快閃記憶體晶片的企業（2014 年），其技術被命名為 V-NAND，起初只堆疊了 32 層，但也將存儲位元元從 MLC 改進到了 TLC。所以其 TLC 產品的容量（128 Gbits / 16 GB）比東芝初代 48 層 NAND 晶片還要高）。

西數於 2016 年 7 月首次向公眾展示了其 64 層 3D NAND 技術，新晶片已於日本四日市製造工廠開始試產，該公司計畫在 2017 年 下半年開始量產。

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