東芝推出第二代650V碳化矽蕭特基位障二極體

東芝推出第二代650V碳化矽蕭特基位障二極體

湧浪順向電流提升70%，降低切換損失RON*Qc指數30%

　　東芝半導體與儲存產品公司今（1月24日）宣布推出第二代650V碳化矽(SiC)蕭特基位障二極體(SBDs)，該產品提升了公司現行產品的湧浪順向電流(IFSM)約70%。8個碳化矽蕭特基位障二極體的新產品線也即將出貨。

    此款碳化矽蕭特基位障二極體採用東芝第二代碳化矽的製程製造，相較第一代產品提升了70%的湧浪順向電流，且同時降低切換損失的“RON*Qc”指數[1]約30%，使其適合用於高效率的功率因素修正方案。

    新產品有4A, 6A, 8A, 和10A四種額定電流，用非絕緣的「TO-220-2L」或絕緣的「TO-220F-2L」包裝。這些產品有助於改善4K大銀幕液晶電視、投影機和多功能印表機的電源供應器效率，以及電信基地台和PC伺服器的工業設備。

碳化矽蕭特基位障二極體產品線及主要規格

包裝	特性   (Ta=25℃)	絕對最大額定值			電氣特性
		順向直流電流	非重複性峰值湧浪順向電流	功耗	順向電壓	陽極-陰極 導通電阻	接面電容	總電容電荷
	符號	IF(DC)	IFSM	Ptot	VF	Ron	Cj	QC
	數值	最大值	最大值	最大值	典型值   ＆最大值	典型值	典型值.	典型值
	單位	(A)	（A)	(W)	(V)	（ｍΩ）	（pF）	（nC)
	測試條件/料號	-	@ Half-sine Wave   t=10 ms	-	@IF(DC)	@IF(DC)×   0.25 to 1.0	@VR=1 V	@VR=400 V
非絕緣   TO-220-2L	TRS4E65F	4	39	55.6	1.45   (Typ.)   1.60   (Max)	120	165	10.4
	TRS6E65F	6	55	68.2		82	230	15.1
	TRS8E65F	8	69	83.3		62	300	19.7
	TRS10E65F	10	83	107		48	400	24.4
絕緣   TO-220F-2L	TRS4A65F	4	37	33.6	1.45   (Typ.)   1.60   (Max)	120	165	10.4
	TRS6A65F	6	52	35.4		82	230	15.1
	TRS8A65F	8	65	37.5		62	300	19.7
	TRS10A65F	10	79	39.7		48	400	24.4

註

[1] RON:陽極-陰極 導通電阻， Qc: 總電容電荷