三星、TSMC、Intel爭搶7nm首發，AMD的“GF”也要領先

2016年半導體的主流工藝是14/16nm FinFET工藝，主要有Intel、TSMC及三星/GlobalFoundries（格羅方德）三大陣營，下一個節點是10nm，三方都會在明年量產，不過10nm主要針對低功耗移動晶片，下下個節點7nm才是高性能工藝，是首次突破10nm極限，也是三方爭搶的重點，TSMC及三星都準備搶首發。不過此前缺席了的GlobalFoundries公司這一次殺回來了，誓言在7nm節點領先。

IBM、GF去年率先公佈了7nm工藝的突破進展

在7nm節點上，Intel表態很謹慎，14nm及10nm工藝都要戰三代，7nm工藝要等到2020年了，但是TSMC和三星就激進多了，三星前不久鉅資購入了EUV光刻機，希望在明年開始試產7nm工藝，TSMC公司也不甘落後，聯合CEO劉德音日前表態稱7nm工藝的SRAM良率已達30-40%，將是業界首家通過7nm工藝認證的半導體公司。

在這三家公司之外，還有一家公司不容忽視——從AMD半導體業務剝離出來的GlobalFoundries（格羅方德）公司，雖然被稱為AMD的GF，但他們現在已經跟AMD沒多大關係了，AMD的股份已經全都出手了，雙方現在更像是一般的代工合作夥伴關係。

GlobalFoundries此前在半導體工藝上走的磕磕絆絆，但在14nm節點果斷放棄自研工藝轉而選擇了三星14nm FinFET授權，現在已經走上正規了，不過他們顯然不會甘心於此，2014年收購了IBM公司的晶圓廠業務——他們沒花錢，反倒是IBM補貼了15億美元。

GlobalFoundries在這次收購中獲得了大量有經驗的員工，這對推動新工藝研發很有幫助。去年7月份，GlobalFoundries聯合IBM、三星及紐約州立大學率先推出了7nm工藝，他們也要在新一代工藝上保持領先了。

日前GlobalFoundries公司CTO。高級副總Gary Patton透露了他們的7nm工藝進展，表示已經激進地縮減了新工藝的柵極間距（pitch，衡量工藝水準的關鍵指標之一，數值越小越好）。

Patton表示他們在紐約州馬爾他市的晶圓廠正在量產14nm工藝，這為他們開發更先進的工藝奠定了基礎。

對於7nm，Patton聲稱即便沒有EUV工藝，他們的新工藝也能降低晶圓成本。

按照Patton的預計，EUV工藝預計會在2020年量產，2018/2019年可能會少量生