三星已準備開始在iPhone 7s，裝備UFS 2.0快閃記憶體

三星Galaxy S7的殺手鐧功能之一就是超快速的通用快閃記憶體儲存（UFS）技術，相比較部署在智慧手機和其他電腦上的傳統儲存解決方案具備更高的傳輸速度，而這都歸功於三星先進的V-NAND快閃記憶體晶片。援引韓媒ETNews報導，三星將會在不久的將來向蘋果的iPhone供應NAND快閃記憶體，但是並不會裝備在今年推出的iPhone 7設備上。

ETNews最新報導稱三星目前主要精力集中在和多家廠商合作為晶片設計屏蔽框來杜絕電磁干擾（EMI），意味著開始為明年的iPhone快閃記憶體供應做準備，因此今年的iPhone 7並不會裝備三星的NAND快閃記憶體。其他儲存提供商在未來同樣也會為蘋果提供具備防電磁干擾的NAND快閃記憶體，蘋果供應鏈廠商之一的SK海力​​士（SK Hynix）也已經開始研發和三星相似的技術。今年推出的Galaxy S7，三星首次推出了256GB的UFS 2.0，暗示有望部署在未來的iPhone和iPad型號中。

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