Rambus推出首款為DDR4 RDIMM/LRDIMM模組設計的RCD與資料緩衝晶片

擁有許多記憶體技術的Rambus宣布推出首款實體產品，為針對新一代伺服器DDR4記憶體模組而設計的RB26，為旗下R+ 系列的首款產品。


Rambus副總裁 Dr. Ely Tsern (左)與產品行銷總監Samira Naraghi

隨著巨量資料與雲端服務的大量增加，使得資料中心伺服器數量大幅增加，連帶也使得系統需要的記憶體及儲存設備跟著增多。為了擁有更好的服務效能，部分應用更採用記憶體內計算 (In-Memory)模式，記憶體容量需求更高。隨著世代的演進，目前 Intel新一代的Xeon處理器，包括E7 v3及E5 v3等系列都已經導入支援DDR4記憶體，今年連新一代的桌上型晶片組也都加入支援行列，記憶體改朝換代已經開始。根據市調機構資料指出，未來三年伺服器的容量將會達到二倍以上，而DDR4在伺服器市場的滲透率預估於2019年達到100%。

然而桌上型系統與伺服器對記憶體的要求並不相同，伺服服器通常支援數量更多容量更高的記憶體模組，因為大都使用Registered DIMM模組，而非桌上型用的Unbuffered DIMM。「Registered DIMM」在各種記憶體技術時代都有，不論較早的PC-133 SDRAM到現在的 DDR3、DDR4都有，為了因應伺服器記憶體模組數量較多，避免記憶體控制器無法驅動數量眾多的記憶體，傳輸信號受到雜訊干擾，每支記憶體模組上除了記憶體晶片之外，還會加入額外的晶片，以便讓傳遞控制命令、資料位址等信號更為穩定且乾淨。


RCD與DB晶片應用在RDIMM與LRDIMM的位置

以前的Registered DIMM(RDIMM)模組上增加的額外晶片有不少顆，現在大都整合在一起稱為RCD(Register Clock Driver，暫存器時脈驅動晶片)。隨著更高速的DDR4推出，讓DDR4 RDIMM對於RCD晶片要求更為嚴格，若是在更高容量的DDR4 LRDIMM(Load Reduced DIMM)上，除了RCD晶片之外，更要加上資料緩衝(Data Buffer，簡稱DB)晶片，才能順利將資料送出。從這裡可得知，不論RCD或是DB的效能都與模組的效能相關，甚至可說是效能頻頸所在。


Rambus RB26的 RCD晶片


Rambus RB26的 DB晶片(以上二張照片取自官方網站https://www.rambus.com)

為了提供記憶體模組最佳效能，本身就擁有許多高速記憶多種技術的Rambus便推出首款 R+系列的RB26產品。RB26具有二個晶片，即RCD及DB，一般 DDR4 RDIMM僅需要RCD，若是LRDIMM則是二種皆要使用。


RB26較市場現有產品擁有更多優勢

目市場已經有數家半導體推出支援DDR4的RCD晶片，包括像 IDT、Montage-Tech等，Rambus認為RB26比起市場上的產品具有更多優勢。RB26不僅合符目前JEDEC DDR4的RCD與DB規範，傳輸率可達2666Mbps，實際上還支援更高的傳輸率達到2933Mbps，足以面對未來的需求。Rambus擁有25年以上的高速記憶體專精技術、絕佳的除錯及服務能力，為合作廠商提供更有效率及完整服務。產品符合高穩定性的需求以及電源管理技術，這些特點都讓RB26擁有更多的優勢。


相關產品未來發展藍圖

就如同Rambus主管所言，既然不像過去只做IP授權而推出實體產品，不可能花費許多人力與心血只推出這項產品，後續的產品已經在研發，以提供更好的效能及功耗最佳化，讓伺服器製作商或是記憶體模組製造商都能推出更好的產品。

Rambus的RB26已經提供樣品給多家廠商，如伺服器製造商的鴻海、廣達、英業達、緯創…等等，而模組製造商的Kingston、A-Data等也都在密切合作中。

備註:

較資深玩家應該記得十多年前的RDRAM模組，這些產品即是採用Rambus的技術

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