安森美半導體和 Transphorm 推出用於 緊密型電源及配接器的600 V GaN 電晶體

安森美半導體和 Transphorm 推出用於
緊密型電源及配接器的600 V GaN 電晶體

參考設計使基於 GaN 的新電晶體之評估和實作
以及需要充分利用 GaN 裝置技術優勢的 AC-DC 控制器能實現


推動高能效創新的安森美半導體 (ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)，和功率轉換器專家Transphorm，先前宣佈雙方建立了合作關係，將基於氮化鎵(GaN)的電源配置推出市場，今天美國時間宣佈推出聯名的NTP8G202N (TPH3202PS)和NTP8G206N (TPH3206PS) 600 V GaN共源共柵(cascade)電晶體和使用這些裝置的240 W參考設計。

安森美半導體電源分離分部副總裁兼總經理Paul Leonard說：「GaN電晶體為開關電源和其它在能效及功率密度至關重要的應用帶來了性能上的飛躍。隨著更多工程師熟悉氮化鎵器件的優勢，基於GaN的產品需求將快速增長。安森美半導體和Transphorm正著手於新的發展第一線，並加速市場的廣泛採納。」

兩款新品NTP8G202N (TPH3202PS)和NTP8G206N (TPH3206PS)，導通阻抗典型值為150 mΩ和290 mΩ，採用優化的TO-220封裝，客戶可依據現有的製板能力而整合。兩款600 V產品均已使用JEDEC標準認證並量產。

NCP1397GANGEVB (TDPS250E2D2)評估板為客戶提供完整的參考設計，以實現及評估他們電源設計中的GaN共源共柵電晶體。該評估板為客戶提供比使用傳統裝置的電源更小的占位面積及更高效能。升壓段提供98%的效能並採用NCP1654功率因數校正控制器。 LLC DC-DC段使用NCP1397諧振模式控制器提供97%的滿載能效。這性能在以200+ 千赫茲(kHz)運行時達到，並且顯然也能滿足EN55022的B類電磁相容(EMC)性能。完整的文檔請參考安森美半導體網站。
蒞臨安森美半導體在 2015 APEC 的 407 展臺 (Transphorm – 1317展臺) 觀看關於 GaN 器件以及新的電流模式 LLC 電源和汽車電機驅動器的展示。

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