突破性RRAM技術：未來硬碟或只有一張郵票大小

【XFastest訊】根據國外媒體報導，大家都知道固態硬碟的速度快得驚人，但存儲容量(以及價格)卻似乎成為了它最大的“硬傷”。好消息是，通過所謂的“3D NAND”方案(基於現有的SSD技術)——在存儲晶片的核心上堆疊更多的層位——英特爾和三星已經解決了這個問題。此外，新款三星850 EVO已經能夠在U盤大小的外殼中，封裝下120GB的存儲容量。當然，大家的研究不會止步於此。

Crossbar(一家成立於2010年的初創企業)，已經在另一種替代品——“電阻式隨機存儲記憶體”(resistive random access memory,簡稱RRAM)上——投入了大量的時間和資金。
這是一種“非易失性”的隨機存取器，可以在切斷外接供電的情況下保存資訊。相比之下，電腦上的DRAM記憶體會在斷電後即丟失資料。
Crossbar的方法是將RRAM堆成一個立方體狀的結構，並且在三個維度上展開。如此一來，在單晶片上提供1TB的存儲容量也在理論上有了可能。

不過這麼做也會有點問題，那就是“電流洩露”會造成功耗大幅增加，甚至導致整塊“硬碟”根本無法使用。

巧妙的是，Crossbar採用了“多個並行傳導路徑來控制電流洩露，以限制陣列的最大規模和增加的功耗”的方式。
工程師將該技術稱作“單晶體管驅動電子存儲單元”(1 Transistor Driving n Resistive memory cell)，簡稱“1TnR”——其可以將高達2000個存儲單元連結到一起。
Crossbar稱，該公司已經驗證過這項避免電流洩露的技術，這意味著我們距離實際用上高容量驅動器又進了一步。更重要的是，該設計可承受上億次的使用週期，開關狀態切換的延時也只有50ns不到。
最後，鑒於該公司並未透露有哪些“阿爾法客戶”對這項技術感興趣，因此在2015年年末之前，我們或許還無法在消費級零售市場見到相關產品。

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