[轉貼] AMD即將在45奈米節點採用浸入式微影技術

為了迎頭趕上英特爾(Intel)公司，美商超微(AMD)首次揭露了其45奈米製程技術細節。這項具有10層金屬層的製程將採用銅互連、滲透性低k電介質薄膜、嵌入式應變矽與先進的退火技術。AMD並不會在45米製程上採用金屬閘和高k電介質，但該公司將首次在該節點中採用浸入式微影技術。

AMD正與其長期合作夥伴IBM公司就45奈米技術展開合作。2005年，兩家公司曾宣稱將把共同的製程開發工作延伸至2011年，包括32奈米與22奈米製程。

AMD聲稱即將縮小與英特爾在製程上的差距。去年底AMD曾推出首款65奈米微處理器，並宣佈計劃在2008年中推出45奈米晶片。“這將使我們領先每一位競爭對手，”AMD邏輯開發副總裁Nick Kepler表示。

但這是指除了英特爾之外的每一位競爭對手。因為，英特爾在2007年下半年便會推出首款45奈米晶片Penryn系列處理器，這比AMD首款元件要提前好幾個月。

英特爾去年初便披露了45奈米製程細節，該製程結合了銅互連、低k與應變矽。不同於AMD，英特爾計劃採用傳統的193奈米‘乾式’微影掃描器，以取代浸入式工具來製造45奈米元件。英特爾主要採用Nikon公司的掃描器，以及ASM International NV公司的化學氣相沈積技術來開發低k薄膜。

針對90與65奈米節點的關鍵層，AMD公司採用其主要供應商ASML Holding NV的乾式193奈米微影掃描器。但在45奈米節點，AMD將採用浸入式掃描器。該公司將採用ASML公司的TwinScan XT:1700Fi設備，這是一種具有1.2數值孔徑的193奈米浸入式工具。這種掃描器將可增加焦點深度，並使解析度增加40%，Kepler說。

對AMD而言，向浸入式微影技術轉變是一項重大且冒險的舉動。“這些都是全新的工具，”Kepler承認，“但我們已證實浸入式在密度方面的缺陷並不會大於乾式工具。”

圖5：濕式微影被各製程節點採用的時程表

針對低k電介質，AMD在90奈米節點上採用了美商應用材料公司(Applied Materials)以黑鑽石(Black Diamond)化學氣相沈積為基礎的技術。而在65奈米，它則改為採用IBM公司開發的k值為2.7、稱之為SiCOH的低k薄膜。

在45奈米節點，AMD將採用IBM具有多孔滲水特性及k值為2.4的薄膜。“我們的薄膜可提供與Applied Materials薄膜類似的k值，但具有更好的機械特性，”AMD邏輯技術開發總監John Pellerin說，“這種薄膜也能用在Applied Materials公司的製程工具上。”

對AMD來說，另一項關鍵是將其嵌入式矽鍺技術微縮到45奈米節點。在下一代設計中，對努力提升遷移性及降低功耗與泄漏而言，應變矽鍺技術扮演著關鍵性角色。

在國際電子元件會議(IEDM)上，IBM與其合作夥伴們提交了一份論文，其中介紹了採用IBM分級鍺製程的嵌入式矽鍺技術。據稱，維持通道應力將使PEET性能增益較無分級方案高出15%。

作者：馬立得

不同的滲透性低k電介質薄膜會帶來什麼不一樣的改變

真是讓人期待