TSMC今年試產16nm FinFET，明年進軍10nm FinFET

昨天三星和GLOBALFOUNDRIES達成協議授權後者使用三星的14nm FinFET，預計今年底開始投產。準備進入FinFET的還有代工業老大TSMC，他們已經開始量產20nm，1 6nm FinFET也已經在試產，2015年早些時候會量產，2015年晚些時候還有改進型的16nm FinFET+，明年Q4還會試產10nm FinFET，量產時間預計在2016年-2017年。

TSMC上周公告稱他們目前已經在試產16nm FinFET，商業化量產預計在2015年早些時候。與此同時，TSMC還開發出了改進型的16nm FinFET+，預計在2015年晚些時候量產。TSMC預計大多數客戶會從16nm FinFET升級到16nm FinFET+，因為後者的優勢更大。此外，16nm FinFET+與16nm FinFET的設計規則是一樣的，大部分要求都是互相相容的，16nm FinFET的晶片設計只需要非常小的改動（如果需要的話）就能用到到16nm FinFET+上，客戶遷移到新製程的成本及花費的時間都會很低。

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