3GB記憶體又來了，SK Hynix的6Gb LPDDR3明年初量產

三星Galaxy Note 3是首款配備3GB記憶體的智慧手機，這是因為三星有能力生產6Gb的LP DDR3記憶體，其他手機廠商要想用上3GB記憶體就得三星滿足自己需求之後，或者尋求其他廠商。還好，SK Hynix今日宣布他們已用20nm製程開發出了6Gb LPDDR3記憶體，2014年早些時候將會量產，看來明年的Android高階手機妥妥的都要上3GB記憶體了。

相比目前的4Gb記憶體，SK Hynix的6Gb LPDDR3記憶體可節能30%，單封裝即可實現3GB（24Gb）配置。此外，其速率達到了1866Mbps，32bit頻寬，單通道頻寬可達7.4GB/s，雙通道可達14.8GB/s，同時還支援PoP（Package on Package，記憶體可與處理器封裝在一起）封裝。
SK Hynix在今年6月份曾經試產了全球首款8Gb LPDDR3記憶體，現在看起來還是會首先量產6Gb LPDDR3記憶體，該公司認為明年上半年開始到2015年，3GB記憶體都將是高階手機的主要配置。