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作者: PC3
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[情報] Zetex新型無鉛MOSFET 成功把電路佔位面積減少一半

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PC3 發表於 2008-3-12 21:19:08 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
類比訊號處理及功率管理方案供應商Zetex Semiconductors (捷特科) 公司,近日推出其首項採用無鉛式2 x 2毫米DFN封裝的MOSFET產品。這款ZXMN2F34MA元件的PCB面積比業內採用標準SOT23封裝的元件小50%,離板高度只有0.85毫米,適用於各類型空間有限的開關和功率管理應用,例如降壓/升壓負載點轉換器中的外部開關裝置。因為對於這些應用來說,PCB的佔位面積、熱效能和低臨限電壓都相當重要。

新MOSFET是Zetex一行六款新型低電壓 (20V及30V) N通道單獨及雙重式元件的其中一款,系列中設有多種不同的表面黏著封裝可供選擇。

額定電壓為20V的ZXMN2F34MA雖然尺寸小巧,但其熱性能卻遠勝體積更大的SOT23封裝。該元件採用的DFN322無鉛式封裝,熱阻比同類零件低出40%,有助提升散熱效益、改善功率密度。在4.5V及2.5V的典型閘源電壓下,該元件的通態電阻分別為60mΩ 和120mΩ。

此外,新元件的逆向修復電荷較低,有助減低開關損耗及緩解電磁干擾 (EMI)問題,最適用於筆記簿型電腦、行動電話及通用便攜式電子設備中的低電壓應用,確保在線功率損耗維持在低水平,從而延長充電間距。

Zetex一行六款的新型元件除了包括採用DFN322封裝的ZXMN2F34MA外,還有三款採用SOT23封裝的N通道MOSFET,包括ZXMN2F34FHTA、ZXMN2F30FHTA和 ZXMN3F30FHTA;另有兩款採用SO8封裝的雙重式N通道元件,包括ZXMN3F31DN8和ZXMN3G32DN8。

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