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作者: wu.hn8401
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[記憶體 卡 碟] 升級20nm工藝快閃記憶體,OCZ Agility 3低調更新

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wu.hn8401 發表於 2012-8-22 14:05:04 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
升級20nm工藝快閃記憶體,OCZ Agility 3低調更新  雖然Agility 4系列已經發佈,而且也有了性能測試,但是OCZ似乎並不打算讓使用自家主控的A4完全取代現有的Agility 3系列,後者將低調升級為20nm工藝NAND快閃記憶體,要在低端市場繼續存在一段時間了。
  在OCZ的一份官方PDF中介紹了20nm快閃記憶體的A3性能,新型號名為AGT3-25SAT3-120G.20,現有產品則是AGT3-25SAT3-120G,主控依然是SF-2281,但是快閃記憶體從IMFT的25nm MLC換為20nm MLC,當然還是要保持同樣的非同步(Asynchronous)特色。
a301.jpg

新版A3性能規格
  指標性能看起來還不差,最大讀寫速度甚至從原先的525、500MB/s小幅提升到了550、530MB/s,不過認真你就輸了,上述速度只是理論值,是利用可壓縮資料測得,Hardware.fr表示在OCZ的PPT介紹中看到了AS-SSD中的實際性能
連續讀取:190MB/s,舊版A3是195MB/s
連續寫入:130MB/s,舊版A3是140MB/s
隨機讀取4K QD64:22K IOPS,舊版是23KIOPS
隨機寫入4K QD64:35.5K IOPS,舊版是34K IOPS
  新版A3依然是3年質保,MTBF可靠性是200萬小時,售價未知,估計應該是持平或者更低。
  唯一的不確定性就是20nm工藝的使用壽命了,這也是所有20nm快閃記憶體工藝面臨的共同挑戰,先期產品的P/E次數只有1500次,目前20nm工藝算是規模量產了,不知道P/E次數是否能恢復到25nm工藝時的3000次。


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