SK Hynix剛剛宣布推出其下一代12-Hi HBM3e和SOCAMM記憶體，同時也發布了全球首批12-Hi HBM4樣品。
SK Hynix憑藉其用於業界領先運算硬體（如高效能資料中心GPU）的創新記憶體產品，一直在快速發展。該公司宣布將在3月17日至21日於加州何塞舉行的GTC 2025活動上推出其領先的12 High HBM3E和SOCAMM記憶體。
該公司一直是三星和美光的激烈競爭對手，並為NVIDIA強大的AI晶片製造了最新的SOCAMM（小型壓縮附加記憶體模組）。這是流行的CAMM記憶體，該記憶體用於NVIDIA的晶片，但將是一種低功耗DRAM。
SK Hynix SOCAMM記憶體將有助於大幅提高記憶體容量提高AI工作負載的效能，同時保持節能。除了SOCAMM，SK Hynix還將展示其為NVIDIA製造最新的 Blackwell GB300 GPU而提供的12-High HBM3E記憶體。 SK Hynix與NVIDIA獨家達成GB300 AI晶片協議，並已在競爭對手中取得領先優勢。
SK Hynix去年9月就已量產12H HBM3E，而三星大概還需要幾個月的時間才能趕上SK Hynix。 SK Hynix的高層將在GTC活動上展示產品，包括CEO Kwak Noh-Jung、總裁兼AI Infra負責人CMO Juseon Kim以及全球S&M負責人Lee Sangrak等人物。
SK Hynix憑藉其在HBM市場的技術優勢和生產經驗，提前完成了樣品交付，並將啟動客戶認證流程。 SK Hynix計劃在今年下半年完成12層HBM4產品量產的準備，鞏固其在下一代AI記憶體市場的地位。此次提供的樣品的12層HBM4有業界最佳的容量和速度，這對於AI記憶體產品至關重要。
該產品首次實現了每秒處理資料量超過2TB的頻寬 。這意味著每秒鐘可處理相當於400多部Fullhd電影（每部5GB）的數據，比上一代HBM3E快60%以上。
SK Hynix也採用了Advanced MR-MUF製程，實現了36GB的容量，這是12層HBM產品中最高的。此製程的競爭力已透過上一代產品的成功生產得到證實，有助於防止晶片翹曲，同時透過改善散熱效果最大限度地提高產品穩定性。
最後該公司還將展示其領先的12 High HBM4，該記憶體目前正在開發中，並正在向包括NVIDIA在內的主要客戶提供樣品，NVIDIA將在Rubin系列GPU上使用它。 12-Hi HBM4記憶體每堆疊可提供高達36GB的容量，且數據速率高達2TB/s。
該公司計劃於2025年下半年量產12-H HBM4記憶體，並將採用台積電的3nm製程。
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