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作者: sxs112.tw
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[儲存裝置] 速度5.6 GT/s、超過400層！三星將推出第10代V-NAND快閃記憶體

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sxs112.tw 發表於 7 天前 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
根據媒體報導三星即將在國際固態電路會議（ISSCC）上展示其最新的第10代超過400層3D NAND Flash，速度可達5.6 GT/s。

三星的這新一代V-NAND保持了TLC架構，每個晶片的容量為1Tb（128GB）。三星聲稱其新的超400層3D TLC NAND Flash的儲存密度達到了28 Gb/mm²，略低於其1Tb 3D QLC V-NAND的28.5 Gb/mm²，後者是目前世界上儲存密度最高的NAND Flash。
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此外三星第10代V-NAND的界面速度達到5.6 GT/s。在5.6 GT/s的速度下，相當於約700 MB/s的資料傳輸速率，表示其中10個裝置可以使PCIe4.0 x4飽和，而20個足以使超快的PCIe5.0x4飽和。

三星計劃在ISSCC 10上推出第10代V-NAND，因此很可能在明年開始大量生產這種NAND Flash，只是尚不清楚新何時會進入三星自己的SSD。

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