隨著台積電、Samsung & SK hynix準備最新的DRAM和製程，下一代HBM4記憶體標準的開發正在緊鑼密鼓地進行。
Samsung & SK hynix都在競相提供下一代HBM4記憶體標準。韓國豪門已經展示了2025-2026年首次亮相的初步計劃。迄今為止三星已著眼於使用3D封裝技術和多達16-Hi堆棧，以前所未有地增加VRAM容量和記憶體頻寬，而SK hynix也計劃為其自己的HBM4解決方案採用新的封裝技術。
根據韓國 ZDNet援引的最新行業消息稱，Samsung & SK hynix正計劃使用1c DRAM為下一代HBM4記憶體提供動力。據悉三星最初計劃在去年5月開始生產的HBM4中使用其1b DRAM（10奈米級第五代DRAM），而其現有的HBM3E產品則採用1a DRAM。該公司計劃恢復失去的勢頭，因為最近有報導稱三星未能通過 NVIDIA最新AI GPU（例如Hopper和Blackwell）的資格測試。
使用1c DRAM的一個關鍵原因是三星認為它在功耗方面落後於競爭對手。因此1c DRAM將用於12-Hi和16-Hi HBM4產品。該公司預計在2024年底建成第一條1c DRAM量產線，總產能約為每月3,000片。最終的HBM4產品數據也不應該有太大差異。某些消息來源甚至強調三星可能會在2025年中提前開始量產，但這尚未得到證實。
SK hynix計畫在HBM4記憶體產品中使用1b DRAM，而製造商將在下一代HBM4E記憶體中使用1c DRAM。但這還不是全部，在2024年台積電歐洲技術研討會期間，這家半導體製造商報告稱由於HBM4從1024位元介面轉向2048位元介面的複雜性，新的基礎晶片將使用N12和N5製程製造。
新的基礎晶片將利用CoWoS技術（例如最近發布的CoWoS-L和CoWoS-R 封裝）來製造多達16-Hi堆疊的記憶體產品。除其他關鍵變更外，它還將利用新的通道訊號完整性流程。擁有5nm製程將在功耗、效能和密度方面帶來優勢，因此我們期待明年發布用於下一代GPU加速器的下一代HBM4記憶體產品。
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