隨著半導體製程深入到5nm以下,製造難度與成本與日俱增,摩爾定律的物理極限大約在1nm左右,再往下就要面臨嚴重的量子穿隧難題,導致電晶體管失效。當然,各大廠商的先進製程在實際尺寸上都是有浮誇一點的,所以紙面意義上的1nm製程還是會有的,台積電去年就組建團隊研發1.4nm製程,日前CEO劉德音又表示已經在探索比1.4nm更先進的製程了。
1.4nm再往下就是1nm了,這也是半導體行業都在追求的製程,去年IMEC歐洲微電子中心公佈的路線圖顯示,2nm之後是14A,也就是1.4nm,預計2026年問世,再往後就是A10,也就是1nm,2028年問世。當然實際能量產的時間可能回比2028年晚一些,畢竟新技術不跳票是不可能的。
與此同時在2nm之後的新製程研發生產中,EUV光刻機也要大升級一次,ASML預計會在2026年推出High NA技術的下一代EUV光刻機EXE:5000系列,將NA指標從當前的0.33提升到0.55,進一步提升光刻解析度。但是下一代EUV光刻機的代價也很高,售價會從目前1.5億美元提升到4億美元以上,最終價格可能還要漲。
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