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作者: sxs112.tw
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[儲存裝置] Micron推出擁有更多I/O頻寬的232層NAND

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sxs112.tw 發表於 2022-7-27 20:50:30 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
在下週的快閃記憶體高峰會之前，Micron推出了其新的232層NAND。隨之而來的是新的3位元 TLC-NAND，它採用這種新的232L-NAND，除了更高的儲存密度之外還支援更高的儲存頻寬。
micron-232l-nand-infografik_1920px.jpg

迄今為止Micron的NAND使用了兩個88L NAND堆棧——實現總共176層。現在有兩個116，因此總共有232層。到目前為止只有Samsung能夠生產這種超過200層的堆棧。但是Samsung還沒有量產。232L-NAND實現了14.6 GBit/mm²的儲存密度，與之前使用的176L-NAND相比增加了 43%。

一方面更高的儲存密度使得每個NAND封裝的容量更大，但另一方面單個儲存晶片也變得越來越大。Micron透過新封裝解決了這一問題，該封裝將單個NAND的尺寸從12 x 18 mm (216 mm²) 減小到11.5 x 13.5 mm (155 mm²)。這意味著可以提供更小巧的設計或者在同一區域內可以容納更高的容量。

為了也增加訪問NAND的頻寬，每個單獨的堆棧現在有六個而不是之前的四個。這使並行訪問容量提高了50%。同時透過ONFi 5.0（一種新的NAND指令方法）可以以2400 MT/s的速度訪問記憶體，因此NAND堆棧的寫入和讀取吞吐量也增加了50%。232L-NAND的量產預計將於今年晚些時候開始。有了這個Micron希望取代之前的176L-NAND並大幅增加製造的記憶體容量。預計從2023年開始首批使用新型232L-NAND的產品將出現。

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