三星的晶圓代工部門最近負面不斷,此前有消息稱部分員工涉嫌偽造和虛報5nm、4nm、3nm製程的良品率,以致於高通這樣的VIP客戶都要出走,重新使用台積電生產驍龍8處理器。不過從技術上來說三星現在依然是唯一能緊追台積電的晶圓代工廠。
雖然在7nm、5nm及4nm上落後了一些,但在接下來的3nm,據說三星更激進,要全球首發GAA電晶體管製程,放棄FinFET電晶體管技術,而台積電的3nm製程依然會依賴於FinFET製程。
三星之前表示GAA是一种新型的環繞式閘極電晶體管,透過使用奈米片設備製造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多橋通道場效電晶體),該技術可以顯著增强電晶體管性能,主要取代FinFET電晶體管技術。
根據三星的說法與7nm製程相比,3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了45%以上,功耗降低了50%,性能提高了約35%,紙面參數上來說卻是要優於台積電3nm FinFET製程。當然這些還是紙面上的,三星的3nm挑戰也不少,光是量產就是個問題,之前三星宣傳2021年就量產,實際上並沒有,最快也是今年,而且首發的是3GAE低功耗製程,高性能的3GAP至少要2023年了。
據韓國媒體報導三星已經準備在韓國平澤市的P3工廠開工建設3nm晶圓廠了,6、7月份動工,並及時導入設備。按照這個進度今年的3GAE應該也只會是小規模試產,大規模量產也要到明年了,跟台積電的3nm差不多,兩家都因為種種問題延期量產3nm了。
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