找回密碼註冊
返回列表 發新帖
作者: sxs112.tw
查看: 6805
回復: 0

文章分享：

+ MORE精選文章：

+ MORE活動推薦：

體驗極速WiFi 7！MSI Roamii BE Lite Mesh

第一名 guanrung1110 https://www.xfastest.com/thread-293988-1- ...

極致效能 為遊戲而生 990 PRO SSD 玩家體驗

[*]極致效能固態硬碟 [*]PCIe 4.0 速度大幅提升 [*]優化的電源效率 ...

Micron Crucial PRO D5 6400超頻版 玩家開

解銷更快的遊戲速度！ 利用低延遲遊戲記憶體的強大功能 利用 Cruci ...

O11 VISION COMPACT 玩家開箱體驗分享活動

迷你身形 三面透視打造精緻PC視野新境界O11 VISION COMPACT 強強聯合 ...

打印 上一主題 下一主題

[儲存裝置] 快閃記憶體”蓋樓”新紀錄，三星第八代V-NAND為228層：未來可達1000層

[複製鏈接]| 回復
跳轉到指定樓層
1#
sxs112.tw 發表於 2021-6-9 19:50:07 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
自從快閃記憶體進入3D時代，堆棧層數猶如摩天大樓一樣越來越高，從最初的24/32層一路堆到了現在的128層甚至176層。三星下一代的第八代V-NAND據說為228層，未來還可以做到1000層。
1623229813_Samsung-is-preparing-SSD-with-176-layer-V-NAND-flash-memory-and.jpg

目前全球半導體晶片產能緊張，NAND本身也是，三星準備藉此機會擴大生產規模，現在韓國平澤市的儲存晶片工廠已經是全球最大的，三星計劃建設第二座平澤工廠。在快閃記憶體技術上，三星的128層V-NAND已經量產，2021年下半年則會量產第7代V-NAND，堆棧層數提升到176層。

在“蓋樓”層數上，三星實際上已經落後於Micron，後者在去年底就推出了176層3D快閃記憶體，並且量產了，三星現在要奮起直追了。超越Micron的希望就是再下一代的第8代V-NAND，堆棧層數據說為228層，不過三星沒公佈具體情況，預計要到明年下半年才有可能量產。

至於未來的層數還能堆多高，早前有消息稱超過500層的話就會遇到難以克服的瓶頸，是當前3D堆棧的極限了，但三星的目標是希望超過1000層，這個就需要很多技術突破了。

消息來源
回復

使用道具 舉報

返回列表 發新帖
高級模式
B Color Image Link Quote Code Smilies
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 註冊 |

本版積分規則

特別活動
專題活動
Computex報導
GAMFORCE
XFastest 專頁

SiteLock

相關資訊

小黑屋|手機版|無圖浏覽|網站地圖|XFastest  

GMT+8, 2024-11-16 18:13 , Processed in 0.103838 second(s), 34 queries .

專業網站主機規劃 威利 100HUB.COM

© 2001-2018

快速回復 返回頂部 返回列表