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作者: sxs112.tw
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[業界新聞] 台積電2nm製程進入研發階段:升級GAA電晶體管、改進EUV效率

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sxs112.tw 發表於 2021-4-19 17:29:48 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
做為全球最大最先進的晶圓代工廠,台積電在7nm、5nm上領先三星等對手,明年面還會量產3nm,接下來則是2nm。台積電計劃未來三年投資1000億美元,其中先進製程花費的資金最多,2nm也是前所未有的新製程,台積電去年稱2nm取得了重大進展,進度比預期的要好。

實際上台積電的2nm沒有宣傳的那麼誇張,此前只是技術探索階段,尋找到了可行的技術路徑。現在2nm才算是進入了研發階段,重點轉向了測試載具設計、光罩製作及矽試產等方向。
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根據台積電的說法2nm上,他們也會放棄FinFET電晶體管結構,轉向GAA環繞柵極結構,此前三星更為激進,在3nm就會棄用GAA電晶體管,不過這兩家的GAA晶體管結構也不會一樣,孰優孰劣還沒定論。在2nm上,光刻製程更加重要,EUV光刻是少不了的,但此前的EUV還存在不少問題,台積電的2nm也會重點改進EUV製程,提高光刻中的品質及效率。

至於量產時間,台積電的2nm現在還在起步階段,此前消息稱是2023年試產2nm,2024年量產。

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