在幾大快閃記憶體原廠的主力從96層升級到128/144層之後,Micron、SK Hynix之前推出了176層的3D快閃記憶體,現在Kioxia、WD也加入這一陣營,推出了162層3D快閃記憶體。各大廠商的3D快閃記憶體技術並不一樣,所以堆棧的層數也不同,Kioxia、WD使用的BiCS技術,堆棧層數並不是最高的,但是儲存密度不錯,這次162層相比之前的112層提升了10%的密度。
這樣一來從112層提高到162層使得晶片的面積減少了40%,在同樣的300mm晶圓上可以多生產70%的容量,直接大幅降低了快閃記憶體成本。除了產能、成本上的改善,Kioxia的162層還改進了架構,將控制電路放置於儲存陣列下方,不僅減少了核心面積,還提高了性能,工作速度2.4倍提升,延遲減少了10% ,IO性能提升了66%,實現了性能、容量雙重提升。
Kioxia並沒有公佈162層3D快閃記憶體的量產時間,預期是要到2022年了,可能會在Kioxia、WD位於日本四日市的新建工廠量產。
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