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作者: sxs112.tw
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[業界新聞] 台積電3nm製程進度超前,EUV製程獲突破:直奔1nm

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sxs112.tw 發表於 2021-2-19 15:53:53 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
在ISSCC 2021國際固態電路會議上,台積電聯席CEO劉德音公佈了該公司的最新製程進展情況,指出3nm製程超過預期,進度將會提前。不過劉德音沒有公佈3nm製程到底如何超前的,按照他們公佈的訊息3nm是今年下半年試產,2022年正式量產。
ISSCC-Plenary-new-nodes.png

與三星在3nm製程激進選擇GAA環繞柵極電晶體管製程不同,台積電的第一代3nm製程比較保守,依然使用FinFET電晶體管。與5nm相比,台積電3nm的電晶體管密度提升70%,速度提升11%,或者功耗降低27%。

不論是5nm還是3nm,甚至未來的2nm,台積電表示EUV光刻機的重要性越來越高,但是產能依然是EUV光刻的難題,而且能耗也很高。劉德音提到台積電已經EUV光源技術獲得突破,功率可達350W,不僅能支援5nm,甚至未來可以用於1nm。按照台積電提出的路線圖,他們認為半導體製程也會繼續遵守摩爾定律,2年升級一代新製程,而10年則會有一次大的技術升級。

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