Western Digital推出全新iNAND嵌入式快閃記憶體產品系列，新產品採用 64層3D NAND技術，提供高速的資料傳輸能力以及更大的容量以滿足未來新世代行動裝置各項應用。
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在行動裝置普及下，隨著產生的資料量不斷提升，除了既有的影音資訊之外，各種新應用的推出，讓資料量更呈現爆炸性的成長，像是擴增實境、高畫質影片、更豐富的社群體驗以及新崛起的人工智慧等。而 IoT的興起創造出新的資料儲存需求，像是邊際運算提升之下，儲存於裝置本地端的資料也比以往更多，甚至超過九成的資料在裝置上，不到一成的資料才放上雲端。
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Western Digital EIS行動與運算產品線產品行銷總監包繼紅(左)與產品行銷經理林哲仲
正因為資料量持續爆增，行動裝置內建的儲存空間就不斷提升。根據部分市場調查資料顯示，預估在2018年底，全球的智慧型手機平均儲存容量將超60GB，以應付更豐富的多媒體內容、人工智慧、擴增實境等大量資料所驅動的使用體驗。而要應付這麼大量資料儲存需求，快閃記憶體產品勢必要有新一代產品來滿足需求。
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SmartSLC技術讓 iNAND效能表現更佳
旗下擁有WD、HGST與SanDisk儲存產品品牌的Western Digital便針對新一代行動裝置高容量、高速儲存需求，推出最新世代的iNAND嵌入式快閃記憶體系列。新一代的iNAND結合Western Digital領先業界的 X3 3D NAND技術，並加上具有應用感知(application-aware)的SmartSLC技術，以提供最仕的性能表現。當資料寫入時，iNAND會將資料先放在SmartSLC當中，等到系統閒置時再寫入 TLC主要的儲存空間。比較特別是新產品還會在 TLC自動依照應用程式需求劃分不同容量供SmartSLC組合使用，發揮更好的效能。
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iNAND 8521與iNAND 7550
這次推出的新一代 iNAND嵌入式快閃記憶有二款產品，分別為iNAND 8521與iNAND 7550，以不同的介面及效能讓不同的裝置搭配使用。
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iNAND 8521的特色
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iNAND新舊產品的效能比較
iNAND 8521是專為高強度資料應用的旗艦級行動裝置設計，尤其是未來即將推出的5G網路需求。iNAND 8521採用UFS 2.1介面以及Western Digital第五代SmartSLC技術，擁有極佳的效能表現，和前一代應用於旗艦級手機上的iNAND 7232相比，連續寫入速度可達兩倍，隨機寫入速度最高更達到10倍，因此能快速且具智慧性回應各種應用程式效能需求，也更能充分利用新世代無線網路及 5G網路的高速資料優勢。
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iNAND 7550的特色
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]iNAND新舊產品的耐用性比較
另一款iNAND 7550則是為輕便、高容量主流級手機所設計，以滿足製造商追求的成本效益以及消費者資料儲存需求。iNAND 7550採用e.MMC 5.1規格，是Western Digital目前眾多e.MMC介面產品中效能最高的一款，根據測試其連續寫入效能可達 260MB/s，隨機讀／寫效能(IOPS)則分別為20K和15K，能有效縮短系統開機或是開啟應用程式的時間。
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