Toshiba與WD今天一同宣布了新一代BiCS 4技術,用這個技術就可以打造出96堆疊的3D NAND快閃記憶體,並且說用該技術不但可以做TLC,還會可以做QLC,然而實際上QLC快閃記憶體用現在的64層堆疊BiCS 3就可以打造出來,Toshiba今天就宣布世界上首款走出實驗室投入實用的QLC快閃記憶體。
Toshiba的QLC BiCS快閃記憶體採用64層堆疊,擁有目前最高的Die容量768Gb(96GB),現在Toshiba的TLC Die容量是512Gb(64GB),QLC的Die容量比TLC足足提升了50%,再配合Toshiba的16 Die堆棧技術的話,就能做出單顆容量高達1.5TB的快閃記憶體,這是目前行業內所能造出最大容量的快閃記憶體。
現在的TCL每個Cell單元可以儲存3個數據,有2 3 =8個狀態,而QLC則是4bit MLC,每個Cell單元能儲存4位數據,有2 4 =16個狀態,因此QLC的容量更大成本更低,但4位數據帶來的挑戰也很大,更精確的電壓控制、更複雜的干擾等問題都會影響QLC的性能及可靠性,現在Toshiba用自己先進的電路設計和3D快閃記憶體技術克服了這一技術難關,成功打造了世界上首個QLC 3D快閃記憶體。
Toshiba的QLC其實在6月初就開始給SSD廠商與SSD控制器廠商送樣評估與開發了,並且會在今年8月7日到10日的加州舉行的Flash快閃記憶體高峰會上展出樣品。
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