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[儲存裝置] Intel 3D XPoint快閃記憶體終於揭秘了：20nm製程

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電梯直達

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sxs112.tw 發表於 2017-2-20 10:58:48 | 只看該作者 |只看大圖回帖獎勵

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從去年底開始有少量採用3D XPoint快閃記憶體的Optane硬碟問世，容量是16/32GB，企業級有個375GB的DC P4800X系列，隨機性能確實很強大。不過Intel迄今為止都沒有公佈過3D XPoint快閃記憶體的技術內幕，好在現在可以確定一點了，那就是375GB的DC P4800X硬碟使用的是20nm製程。

Intel當年發布3D XPoint快閃記憶體之後並沒有透露該技術的細節，只說它是不同於NAND快閃記憶體的新型儲存技術，性能、可靠性及密度全面領先當前NAND產品。Intel不公開技術內幕大概是為了保密，業界早前也在猜測3D XPpint快閃記憶體有可能是採用PCM技術的，也有說是ReRAM技術的，只是這些都無法證實。

現在Computerbase網站論壇有人爆料了DC P4800X硬碟的PCN通知書，裡面提到了它是採用20nm製程的，只是Intel以往的PCN通知都是公開的，但這次需要授權用戶登錄才能看到，所以普通人也無法查閱具體細節了。Intel使用20nm製程製造3D XPoint快閃記憶體也不算意外，雖然在進入3D快閃記憶體之後廠商就很少公佈具體的製程了，大多時候隻公布堆棧層數，不過大部分3D快閃記憶體使用的製程都不會很先進，三星早期的V-NAND快閃記憶體使用的還是40nm製程，幾年前的製程了，聽上去落後，但實際上是好事，因為提升密度可以靠對堆棧層數，更“落後”的製程往往有更好的可靠性。

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