東芝推出第二代650V碳化矽蕭特基位障二極體

XF-News · 發表於 2017-1-23 17:51:21

東芝推出第二代650V碳化矽蕭特基位障二極體

湧浪順向電流提升70%，降低切換損失RON*Qc指數30%

　　東芝半導體與儲存產品公司今（1月24日）宣布推出第二代650V碳化矽(SiC)蕭特基位障二極體(SBDs)，該產品提升了公司現行產品的湧浪順向電流(IFSM)約70%。8個碳化矽蕭特基位障二極體的新產品線也即將出貨。

此款碳化矽蕭特基位障二極體採用東芝第二代碳化矽的製程製造，相較第一代產品提升了70%的湧浪順向電流，且同時降低切換損失的“RON*Qc”指數[1]約30%，使其適合用於高效率的功率因素修正方案。

新產品有4A, 6A, 8A, 和10A四種額定電流，用非絕緣的「TO-220-2L」或絕緣的「TO-220F-2L」包裝。這些產品有助於改善4K大銀幕液晶電視、投影機和多功能印表機的電源供應器效率，以及電信基地台和PC伺服器的工業設備。

碳化矽蕭特基位障二極體產品線及主要規格

註

[1] RON:陽極-陰極導通電阻， Qc: 總電容電荷

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